低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器
时间：2009-12-14 阅读：6880
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江苏天瑞仪器股份有限公司 -
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本发明将光电二极管和场效应管光刻在同一片硅片上，这样场效应管栅极和光电二极管之间几乎是直接相连，大大降低分布电容，其分布电容大约在0.01~0.02pf。因此该系统因分布电容产生的噪声远小于现有的核辐射探测器。