半导体管特性图示仪  型号：DP-T2B

* DP-T2B半导体管特性图示仪可根据需要测量半导体MOS管，二极管、三极管，可控管等的低频直流参数，大集电极电流可达50A，基本满足功率500W以下的半导体管的测试。

* 本仪器还附有高压的测试装置，可对5000V以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试，

其测试电流灵敏度达到0.5uA/度。

* 本仪器所提供的基极阶梯信号还具有脉冲阶梯输出，因此可扩大测量范围及对二次击穿的测量。

*本仪器带阶梯偏置电压(△VB)，-6V～+6V连续可调。适宜大功率VMOS管测试。

1.集电极电流偏转系数

a)集电极电流范围(Ic)：1μA/度～5A/度。按1、2、5进制分21档级，各档误差不大于3％。

b)二极管电流范围(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5进制分9档，各档误差不大于3％。

c)集电极电流及二极管电流倍率×0.5，误差不大于10％。

d)基极电流或基极源电压0.1V/度，误差不大于3％。

2.集电极电压偏转系数

a)集电极电压范围(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5进制分21档级，各档误差不大于3％。

b)二极管电压范围(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5进制分3档级，各档误差不大于10％。

c)基极电压范围(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5进制分7档级，各档误差不大于3％。

d)基极电流或基极源电压:：0.05V/度，误差不大于3％。

3.基极阶梯信号

a)阶梯电流范围(IB)： 1uA/度～200mA/度。按1、2、5进制分17档级，各档误差不大于5％。

b) 阶梯电压范围(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5进制分5档级，各档误差不大于5％。

c) 串联电阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各档误差不大于10％。

d) 阶梯波形：分正常（100）及脉冲二档。脉冲阶梯占空比调节范围为10～40%。

e) 每簇级数：0～10级，连续可调。

f) 阶梯偏置电压(△VB)：-6V～+6V，连续可调。

g) 阶梯作用：分重复、关、单次三档级。

h) 阶梯输入：分正常、零电流、零电压三档级。

i) 阶梯极性：分正、负二档。

4. 集电极扫描电压

a) 输出电压与档级： 

0～10V  正或负连续可调

0～50V  正或负连续可调

0～50V  正或负连续可调

0～100V 正或负连续可调

0～500V 正或负连续可调

b)  输出电流容量：     0～10V    50A（脉冲阶梯工作状态时）

               0～10V    20A（平均值）

               0～50V    10A（平均值）

               0～100V   5A （平均值）

               0～500V   0.5A（平均值）

 c) 功耗限制电阻：    0～500KΩ  按1、2、5进制分20档级，各档误差不大于10％。

d) 整流方式：       全波

e)  输出极性：     ＋，－

f)  集电极容性电流； 平衡后不超过2uA（10V档）

g)  集电极漏电流；  平衡后不超过2uA（10V档）

5. 二极管测试装置

a)  输出电压：    0～5000V    正向连续可调

b)  输出电流容量：  大为5mA

c)  整流方式：    半波

6. 其他

a)适配器    (测直插式元器件)  

  高压测试座、三极管测试座、 3根测试线

b) 重量   约30kg。

c)外形尺寸

 300mm×408mm×520mm（W×H×D）。

d)功耗： 非测试状态时： 约80VA；

大功率时：   约300VA。

e) 输入电压： 220V±10％；

f) 频率：   50HZ±5％。

g) 示波管：  有效工作面8×10cm。