松下SUNX微型激光位移传感器HG-C系列增加模拟电流输出
时间：2017-02-23 阅读：1320
松下SUNX微型激光位移传感器HG-C系列增加模拟电流输出
松下SUNX微型激光位移传感器HG-C系列规格：
| 种类 | 测量中心距离200mm型 | 测量中心距离400mm型 | ||
|---|---|---|---|---|
| 型 号 | NPN 输出 | HG-C1200 | HG-C1400 | |
| PNP 输出 | HG-C1200-P | HG-C1400-P | ||
| 符合规则 | EMC适合指令、FDA规则 | |||
| 测量中心距离 | 200mm | 400mm | ||
| 测量范围 | ±80mm | ±200mm | ||
| 重复精度 | 200μm | 300μm(测量距离200～400mm) 800μm(测量距离400～600mm) | ||
| 直线性 | ±0.2%F.S. | ±0.2%F.S.(测量距离200～400mm) ±0.3%F.S.(测量距离400～600mm) | ||
| 温度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
| 光源 | 红色半导体激光 2级[JIS/IEC/GB/FDA(注2)] zui大输出：1mW、投光波峰波长：655nm | |||
| 光束直径 (注3) | 约ø300μm | 约ø500μm | ||
| 电源电压 | 12～24V DC±10% 脉动P-P10%以下 | |||
| 消耗电流(注4) | 40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时) | |||
| 控制输出 | <NPN输出型> NPN开路集电极晶体管 ? zui大流入电流：50mA ?外加电压：30V DC以下(控制输出-0V之间) ? 剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) ? 漏电流：0.1mA以下 <PNP输出型> PNP开路集电极晶体管 ? zui大流入电流：50mA ? 外加电压：30V DC以下(控制输出-+V之间) ? 剩余电压：1.5V以下(流出电流50mA时) ? 漏电流：0.1mA以下 | |||
| 输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 | |||
| 短路保护 | 配备(自动恢复) | |||
| 模拟输出 | 模拟电压输出 | ?输出范围：0～5V(报警时：+5.2V) ?输出阻抗：100Ω | ||
| 模拟电流输出(注5) | ?输出范围：4～20mA(报警时：0mA) ?输出阻抗：300Ω | |||
| 反应时间 | 1.5ms／5ms／10ms 可切换 | |||
| 外部输入 | 〈NPN输出型〉 NPN无接点输入 ?输入条件 无效：+8～+V DC或开路 有效：0～+1.2V DC ?输入阻抗：约10kΩ <PNP输出型> PNP无接点输入 ?输入条件 无效：0～+0.6V DC或开路 有效：+4～+V DC ? 输入阻抗：约10kΩ | |||
| 污损度 | 2 | |||
| 使用标高 | 2,000m以下 | |||
| 耐 环 境 性 | 保护构造 | IP67(IEC) | ||
| 使用环境 温度 | -10～+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时：-20～+60℃ | |||
| 使用环境 湿度 | 35%RH～85%RH、储存时：35%RH～85%RH | |||
| 使用环境 照度 | 白炽灯：受光面照度3,000 lx以下 | |||
| 耐振动 | 耐久10～55Hz(周期1分钟) 双振幅1.5mm XYZ各方向2小时 | |||
| 耐冲击 | 耐久500m/s2(约50G) XYZ各方向3次 | |||
| 电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆，长2m | |||
| 延长电缆 | 0.3mm2以上电缆 zui多延长至全长10m | |||
| 材质 | 本体外壳：压铸铝 前罩：丙烯基 | |||
| 重量 | 本体重量：约35g(不含电缆)，约85g(含电缆) | |||
| (注1): | 未测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。 |
|---|---|
| (注2): | 根据FDA规则中Laser Notice No.50规定，并以FDA为准。 |
| (注3): | 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。 如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。 |
| (注4): | 从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
| (注5): | 从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
| 种类 | 测量中心距离30mm型 | 测量中心距离50mm型 | 测量中心距离100mm型 | |
|---|---|---|---|---|
| 型 号 | NPN 输出 | HG-C1030 | HG-C1050 | HG-C1100 |
| PNP 输出 | HG-C1030-P | HG-C1050-P | HG-C1100-P | |
| 符合规则 | EMC适合指令、FDA规则 | |||
| 测量中心距离 | 30mm | 50mm | 100mm | |
| 测量范围 | ±5mm | ±15mm | ±35mm | |
| 重复精度 | 10μm | 30μm | 70μm | |
| 直线性 | ±0.1% F.S. | |||
| 温度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
| 光源 | 红色半导体激光 2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2) zui大输出：1mW、投光波峰波长：655nm | |||
| 光束直径 （注3） | 约ø50μm | 约ø70μm | 约ø120μm | |
| 电源电压 | 12～24V DC±10% 脉动P-P10%以下 | |||
| 消耗电流（注4） | 40mA以下（电源电压24V DC时）65mA以下（电源电压12V DC时） | |||
| 控制输出 | 〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管 ? zui大流入电流：50mA ? 外加电压：30V DC以下（控制输出-0V之间） ? 剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA时） ? 漏电流：0.1mA以下 〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管 ? zui大源电流：50mA ? 外加电压：30V DC以下（控制输出-＋V之间） ? 剩余电压：1.5V以下（流出电流50mA时） ? 漏电流：0.1mA以下 | |||
| 输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 | |||
| 短路保护 | 配备(自动恢复) | |||
| 模拟输出 | 模拟电压输出 | ?输出范围：0～5V(报警时：+5.2V) ?输出阻抗：100Ω | ||
| 模拟电流输出(注5) | ?输出范围：4～20mA(报警时：0mA) ?输出阻抗：300Ω | |||
| 反应时间 | 1.5ms／5ms／10ms 可切换 | |||
| 外部输入 | 〈NPN输出型〉 NPN无接点输入 ?输入条件 无效：＋8～＋V DC或开路 有效：0～＋1.2V DC ?输入阻抗：约10kΩ <PNP输出型> PNP无接点输入 ?输入条件 无效：0～＋0.6V DC或开路 有效：＋4～＋V DC ? 输入阻抗：约10kΩ | |||
| 污损度 | 2 | |||
| 使用标高 | 2,000m以下 | |||
| 耐环境性 | 保护构造 | IP67(IEC) | ||
| 使用环境 温度 | －10～＋45℃（注意不可结露、结冰）、存储时20～＋60℃ | |||
| 使用环境 湿度 | 35%RH～85%RH，存储时：35%RH～85%RH | |||
| 使用环境 照度 | 白炽灯：受光面照度3,000 lx以下 | |||
| 电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆，长2m | |||
| 材质 | 本体外壳：压铸铝 前罩：丙烯基 | |||
| 重量 | 本体重量：约35g(不含电缆)，约85g(含电缆) | |||
| (注1): | 未测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。 |
|---|---|
| (注2): | 根据FDA规则中Laser Notice No.50规定，并以FDA为准。 |
| (注3): | 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。 如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。 |
| (注4): | 从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
| (注5): | 从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
| 种类 | 测量中心距离50mm型 | |||
|---|---|---|---|---|
| 型 号 | NPN 输出 | HG-C1050L | ||
| PNP 输出 | HG-C1050L-P | |||
| 测量中心距离 | 50mm | |||
| 测量范围 | ±4mm | |||
| 重复精度 | 20μm | |||
| 直线性 | ±0.3% F.S. | |||
| 温度特性 | 0.03% F.S./℃ | |||
| 光源 | 红色半导体激光 1级(JIS/IEC/GB) zui大输出：0.2mW、发光光束波长：655nm | |||
| 光束直径 （注2） | 约ø150μm | |||
| 受光元件 | CMOS图形传感器 | |||
| 电源电压 | 12V～24V DC±10% 脉动P-P10% | |||
| 消耗电流 | 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) | |||
| 控制输出 | 〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管 ? zui大流入电流：50mA ? 外加电压：30V DC以下（控制输出和0V之间） ? 剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA下） ? 漏电流：0.1mA以下 〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管 ? zui大源电流：50mA ? 外加电压：30V DC以下（控制输出和＋V之间） ? 剩余电压：1.5V以下（流出电流50mA下） ? 漏电流：0.1mA以下 | |||
| 输出动作 | 入光时ON/非入光时ON 可切换 | |||
| 短路保护 | 配备(自动恢复) | |||
| 模拟输出 | 电压 | ?输出范围：0V~5V(报警时：+5.2V) ?输出阻抗：100Ω | ||
| 电流 | ?输出范围：4mA~20mA(报警时：0mA) ?负载阻抗：300Ωzui大 | |||
| 反应时间 | 1.5ms/5ms/10ms 可切换 | |||
| 外部输入 | 〈NPN输出型〉 NPN无接点输入 ?输入条件 无效：＋8V～＋V DC或者开放 有效：0V～＋1.2V DC ?输入阻抗：约10kΩ <PNP输出型> PNP无接点输入 ?输入条件 无效：0V～＋0.6V DC或者开放 有效：＋4～＋V DC ? 输入阻抗：约10kΩ | |||
| 保护构造 | IP67(IEC) | |||
| 污染度 | 2 | |||
| 使用环境温度 | －10℃～＋45℃（注意不可结露、结冰）、存储时：－20℃～＋60℃ | |||
| 使用环境湿度 | 35%RH～85%RH、存储时：35%RH～85%RH | |||
| 使用环境照度 | 白炽灯：受光面照度3,000 lx以下 | |||
| 使用标高 | 2,000m以下 | |||
| 电缆 | 0.2mm2 5芯复合电缆长2m | |||
| 材质 | 本体外壳：铝铸件 前面盖板：丙烯基 | |||
| 重量 | 约35g(不含电缆)、约85g(含电缆) | |||
| 适用规格 | 符合EMC指令 | |||
尺寸图：
- 单位mm
HG-C□
|
| 型号 | 测量中心距离(L) | θ |
|---|---|---|
| HG-C1030(-P) | 30 | 30° |
| HG-C1050(-P) | 50 | 22.5° |
| HG-C1100(-P) | 100 | 12.5° |
| HG-C1200(-P) | 200 | 6.3° |
| HG-C1400(-P) | 400 | 3.2° |
HG-C1050L/HG-C1050L-P
|
MS-HG-01
简易安装支架(另售)
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