一、研究背景

随着我国加快实现“碳达峰、碳中和”的目标，电气化替代已成为实现目标的关键。近年来新能源呈爆发式增长，充电桩作为新能源汽车的基础配套设备，其数量与质量也是消费者选择电动汽车的重要影响因素。当前，MOSFET在国内充电桩企业批量应用，是新能源汽车充电桩的“心脏”。

MOSFET即金属－氧化物－半导体场效应晶体管，简称MOS管，主要有三个引脚：漏极、源极和栅极，属于绝缘栅型，其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。

二、为什么要测试MOSFET的好坏？

在充电桩中，开关电源是一种高频化电能转换装置，MOS管可以利用电场效应来控制其电流大小，当使用有故障的MOS管时，会发生漏极到栅极的短路，对电路有害，而MOS管是实现电能高效率转换，确保充电桩稳定不过热的关键器件。

具体测试方案如下：

1、测试对象

（为保护客户信息安全，图片来源于网络，仅供参考）

2、测试要求

VGS:20V左右，VDS：0-1000V，做来料检测，需要能呈现MOS产品规格书里的C-V特性曲线，测试输入、输出、反向传输电容。

3、测试过程

MOSFET或IGBT最重要的四个寄生参数：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一键测试，TH510系列半导体C-V特性分析仪10.1寸大屏可同时将测量结果、等效电路图、分选结果等重要参数同时显示，一目了然。

一键测试单管器件器件时，无需频繁切换测试脚位、测量参数、测量结果，大大提高了测试效率。

三、TH510系列半导体C-V特性分析仪

1、列表测试，多个、多芯、模组器件测量参数同屏显示

TH510系列半导体C-V特性分析仪支持最多6个单管器件、6芯器件或6模组器件测试，所有测量参数通过列表扫描模式同时显示测试结果及判断结果。

2、曲线扫描功能（选件）

在MOSFET的参数中，CV特性曲线也是一个非常重要的指标，如下图

TH510系列半导体C-V特性分析仪支持C-V特性曲线分析，可以以对数、线性两种方式实现曲线扫描，可同时显示多条曲线：同一参数、不同Vg的多条曲线；同一Vg、不同参数多条曲线。

3、接触检查（Contact）功能，提前排除自动化测试隐患

在高速测试特别是自动化测试中，经常会由于快速插拔或闭合，造成测试治具或工装表面磨损而接触不良，接触不良造成的最直接后果是误判测试结果而难以发现，在废品率突然增加或发出产品故障原因退回时才会发现，因此是一个极大的隐患。

同惠TH510系列半导体C-V特性分析仪采用了硬件测试方法，可及时发现接触不良故障，出现故障之后自动停止测试并在测试界面提供接触不良点提示。

保障了结果的准确性，同时利于客户及时发现问题，避免了不良品率提高及故障品退回等带来的损失。

4、快速通断测试（OP_SH），排除损坏器件

在半导体器件特性测试时，由于半器件本身是损坏件，特别是多芯器件其中一个芯已经损坏的情况下，测试杂散电容仍有可能被为合格，而半导体器件的导通特性才是最重要的特性。

因此，对于本身导通特性不良的产品进行C-V特性测试是没有必要的，不仅仅浪费了测量时间，同时会由于C-V合格而混杂在良品里，导致成品出货后被退回带来损失。

TH510系列半导体C-V特性分析仪提供了快速通断测试（OP_SH）功能，可用于直接判断器件本身导通性能。

5、模组式器件设置，支持定制

针对模组式器件如双路（Dual）MOSFET、多组式IGBT，有些器件会有不同类型芯片混合式封装；TH510系列CV特性分析仪针对此情况做了优化，常见模组式芯片Demo已内置，特殊芯片支持定制。