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P+F倍加福光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类：外光电效应、内光电效应及光生伏*应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。
P+F倍加福光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。
光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此，光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。
P+F倍加福光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。
P+F倍加福光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电物理量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。新的光电器件不断涌现，特别是CCD图像传感器的诞生，为光电传感器的进一步应用开创了新的一页。
P+F倍加福光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。 把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。

光电效应原理
光电元件是P+F倍加福光电传感器中重要的组成部分，它的核心工作原理是不同类型的光电效应。根据波粒二象性，光是由光速运动的光子所组成， 当物体受到光线照射时，其内部的电子吸收了光子的能量后改变状态，自身的电性质也会发生改变，这样的现象称为光电效应。
P+F倍加福光电传感器根据电属性状态的不同变化，将光电效应分为以下三种：
1）外光电效应
在光线作用下使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电元件有光电管，光电倍增管等

    2）光电导效应
半导体内的电子吸收光子后不能跃出半导体，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象称为内光电效应。内光电效应按其工作原理可分为光电导效应和光生伏*应。基于光电导效应的光电元件有光敏电阻，光敏晶体管等
    3）光生伏*应
在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应。基于光生伏*应的光电元件有光电池和光敏二极管、三极管等
光电元件工作原理
P+F倍加福光电传感器基于不同的光电效应，我们来看一下他们分别是如何工作的：
外光电效应器件
利用物质在光的照射下发射电子的外光电效应而制成的光电器件，一般都是真空的或充气的光电器件，如光电管和光电倍增管。
以光电管为例，当入射光照射在阴极上时，单个光子把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子，从而使自由电子的能量增加。当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功时，它就可以克服金属表面束缚而逸出，形成电子发射，这种电子称为光电子。 只有当入射光的频率高于极限频率时，才会产生光电子。

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光电子产生之后，被真空管中的阳极所吸收，从而产生电流。若此时增加光照强度，更多的光子将会照射到阴极材料，从而产生更多光电子，光电流也会相应增加。在电阻R值确定的情况下，回路中的光电流与入射光的光照强度成函数关系，从而实现光电转化，通过测量电路读取电流数，即可算出光照强度。