美国TI具有保护，感测或电源管理功能的集成MOSFET和栅极驱动器解决方案。借助集成的FET解决方案，我们的电机驱动器可提供有效的开关和电流控制，以大程度地提高单个芯片的输出电流能力。智能栅极驱动器集成了无源组件，以减小电路板尺寸，设计复杂性和成本，支持可调节的栅极驱动电流，灵活的MOSFET选择，效率，低EMI和小的电路板空间。

DRV835x美国TI驱动器产品特点如下：

9至100V，三重半桥变频器驱动器

集成降压稳压器
所谓的三路低端电流并联放大器
智能门驱动架构
可调摆率控制以实现EMI性能
V GS握手和少的死区时间插入以防止直通
50mA至1A初始源电流
100mA至2A的前置灌电流
通过强大的降低降低dV / dt
集成式螺杆驱动器电源
倍压系数泵，用于100％PWM转矩控制
低侧线性稳压器
集成LM5008A降压稳压​​器
6至95V工作电压范围
2.5至75V，350mA输出能力
集成三路电流分流放大器
可调增益（5、10、20、40 V / V）
双向或单向支持
6x，3x，1x和独立PWM模式
支持120°感应操作
提供SPI或硬件接口
低功耗睡眠模式（V VM = 48V时为20 µA ）
集成保护功能
VM欠压锁定（UVLO）
无人机驱动器电源欠压（GDUV）
MOSFET V DS过流保护（OCP）
防止MOSFET击穿
门驱动器故障（GDF）
热警告和关闭（OTW / OTSD）
故障状态指示灯（nFAULT）

美国TI  DRV835x系列设备是用于三相无刷直流（BLDC）电机应用的高度集成的栅极驱动器。这些应用包括BLDC电机的磁场定向控制（FOC），正弦电流控制和梯形电流控制。器件变体提供可选的集成电流分流放大器，以支持不同的电机控制方案，并提供降压调节器来为栅极驱动器或外部控制器供电。

美国TI  DRV835x采用智能栅极驱动（SGD）架构，以减少MOSFET摆率控制和保护电路通常必需的外部组件数量。SGD架构还优化了死区时间，以防止直通情况，通过MOSFET压摆率控制提供降低电磁干扰（EMI）的灵活性，并通过V GS监控器防止栅极短路情况。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的dV / dt寄生栅极导通事件

支持各种PWM控制模式（6x，3x，1x和独立），以简化与外部控制器的接口。这些模式可以减少电机驱动器PWM控制信号所需的控制器输出数量。该器件系列还包括1x PWM模式，可通过使用内部块换向表对BLDC电机进行简单的感应梯形控制。