北京锦坤科技有限公司

化工仪器网中级13

收藏

基于化合物半导体材料高速光开关的研究

时间:2012-11-02      阅读:1749

 详见PDF文件!

摘要 高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件. 首先给出全内反射型光波导光开关器

件的理论分析模型, 并基于GaAs 材料中的载流子注入效应, 采用GaAs-AlGaAs 双异质结结构,研制了工作波长在1.55 μm X 结全内反射型和马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 测试结果表明, 开关的消光比均超过20 dB, 开关速度达到10 ns 量级.

关键词:光开关,全内反射,多模干涉,载流子注入

 

上一篇: AWG 工作原理和主要技术指标及设计和优化 下一篇: 基于相位调制器的40GHzOFDM2ROF系统实验

下载此资料需要您留下相关信息

对本公司产品近期是否有采购需求?

提示

请选择您要拨打的电话: