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日本科学家利用化合物半导体制作高性能光开关

时间:2012-12-03      阅读:3084

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【高工LED综合报道】 日本早稻田大学的宇高胜之教授等人,在日立制作所的协助下,开发出可以超高速分配光通信信号的化合物半导体制的高性能光开关(Switch)。该小组下功夫研究组件的构造,防止偏光造成的性能劣化。2010年中可望实用为大容量光网络的关键零组件。

光通信必*将光纤传输的信号,依对象予以分配的开关技术。以现有的光开关而言,分配需时数毫秒~数微秒;未来的高速通信,被要求需缩短至数纳秒水平。研究小组以适合控制高速信号与小型化的化合物半导体,InAlGaAs等材料,试制分配输入信号的简易开关。基板 材料由日立提供。具体言之,使光信号分岔成2条路径,若仅在单一条路径自电极注入电子,则光的传播方向产生偏差。再将这些光重新重迭聚合,使其可以仅朝希望的方向输出信号。

传统的半导体开关,因为输入的光的偏光,会造成输出信号质量降低;宇高教授等人将半导体的一部份挖深等,下功夫研究开关的设计,以减少偏光的影响。不管光朝纵、横任何方向振动,都可以高精度予以分配。据说,分配的时间也大幅缩短至约3纳秒。

利用新开关,控制信号所需的电力约为5mW,为原来的1/10以下。未来即使光网络的信息量增加,预期信息机器、通信网等的耗电量也可以控制。研究小组将持续研究、改良,防止开关造成光信号的衰减,预计2010年左右付诸实用。
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