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化学机械磨抛机的原理和特点介绍

时间:2022-02-17      阅读:2113

在我们实际研磨抛光过程中,研磨抛光主要讲的是化学机械抛光(CMP: Chemical Mechanical Polishing)。CMP 是化学的和机械的综合作用,在一定压力及抛光浆料存在下,在抛光液中的腐蚀介质作用下工件表面形成一层软化层,抛光液中的磨粒对工件上的软化层进行磨削,因而在被研磨的工件表面形成光洁表面。

抛光液中的腐蚀介质与被抛光表面材料发生了化学反应,生成很薄的剪切强度很低的化学反应膜,反应膜在磨粒磨削作用下被去处,从而露出新的表面,接着又继续反应生成新的反应膜,如此周而复始的进行,使表面逐渐被抛光修平,实现抛光的目的。

UNIPOL-1203化学机械磨抛机,适用于CMP平坦化和平滑化工艺技术,整机研磨部分采用防腐材料,耐化学腐蚀,配置自动滴料器和精密磨抛控制仪,全自动触摸屏面板,从加工性能和速度上同时满足晶圆等面型加工的需求。 

主要特点:
1、超平不锈钢抛光盘(平面度为每25mm×25mm小于0.0025mm)。
2、超精旋转轴(托盘端跳小于0.01mm)。
3、设有两个加工工位,可分别进行控制。
4、配有全自动控制触摸屏面板,可设置主轴转速、摆臂速度、磨抛时间。
5、配置自动滴料器,流量速率可视化调整,自动研磨和抛光。
6、配置GPC-100A精密磨抛控制仪,可调节压力,修整面型,使磨抛更加方便快捷。
7、研磨部分采用防腐材料,耐化学腐蚀。


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