PECVD等离子体增强气相沉积的设备特点：

　　1、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成；

 

　　2、可配合压强控制仪控制气体压力，实现负压的控制；

 

　　3、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的测量和控制；

 

　　4、每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性；

 

　　5、采用KF快速法兰密封，装卸方便快捷；

 

　　6、管路采用卡套连接，不漏气；

 

　　7、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气；

 

　　8、PECVD借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，更容易发生反应。

 

　　PECVD等离子体增强气相沉积技术的基本要求：

　　使用CVD技术沉积目标产物时，其目标产物、原材料及反应类型的选择通常要遵循以下3项原则：

　　（1）原材料在较低温度下应具有较高的蒸气压且易于挥发成蒸汽并具有很高的纯度，简而言之原材料挥发成气态的温度不宜过高。

 

　　（2）通过反应类型和原材料的选择尽量避免副产物的生成，若有副产物的存在，在反应温度下副产物应易挥发为气态，这样易于排出或分离。

 

　　（3）尽量选择沉积温度低的反应沉积目标产物，因大多数基体材料无法承受CVD的高温。

 

　　（4）反应过程尽量简单易于控制。