Thermo Scientic™ ICP-MS 产品包括 Thermo Scientic™ iCAP™ RQ （单四极杆）和 Thermo Scientic™ iCAP™ TQs（三重四极杆），轻松实现：1）高纯试剂（清洗剂和刻蚀剂）中痕量元素杂质实验室和在线分析；2）单晶硅锭和晶圆中痕量元素分析；3）wafer 表面痕量元素分析。

1.1 VPD 溶液的分析

VPD 与 ICP-MS 联用法具有业界所需的检测限和稳定性，测试结果快速可靠。该方法可用于常规和可重复性检测，所以该联用方法广泛应用于硅晶片的测试。

在半导体工业生产中，异丙醇（IPA）用作溶剂清洗硅片。由于 IPA 与硅片表面直接接触，因此，必须控制其痕量金属杂质浓度。由于 ICP-MS 对元素分析的灵敏度高，因此，广泛用于半导体行业用材料的质量控制分析。采用 ICP-MS 技术直接分析 IPA 可为 IPA 中超痕量分析物（ng • L-1）提供有用的控制，并避免由样品制备引起的污染。

仪器

通过喷雾室弯头中的一个端口将高纯氧气输送至气溶胶流中，以防止碳基质在接口区域累积。其 1.0 mm 直径的石英中心管尽可能降低了等离子体的碳负载量。该系统由于使用氧气，因此，需要尖/端为铂金的采样锥和截取锥。所有样品均采用Teledyne CETAC 自动进样器 ASX-112FR 系统（Omaha，NE，美国）进行分析。

校正数据

采用ESI ScoutDX 自动在线控制方案，可24/7用于FAB的实时试剂纯度监控，并可设置被污染的限制值，提高生产效/率。最/大/程度减少人员与危险性化学试剂接触，提高生产安全性。

HR-ICP-MS 是以电磁场和静电场作为质量分析器，结合专/利的固定分辨率狭缝技术实现高质量分辨率的 ICP-MS。采用高分辨 ICP-MS 分析半导体级别试剂中杂质元素更简单方便，高分辨 ICP-MS 具有更强的抗干扰能力。

2.1 固定分辨率狭缝低、中、高分辨率分别达到300、4000、1000（10%峰谷定义）。采用中分辨可轻松实现复杂基体中的P、Fe、Ni、Cu、Zn 等元素的无干扰分析，无需解析未知干扰峰便可实现准确定量：

2.2 采用高分辨模式分析 As，可*排除 Cl 基体中的40Ar35Cl 干扰，实现准确定量：

3. GD-MS（辉光放电质谱仪）检测解决方案

• 无标准物质时准确定量：原子化与离子化过程分离，可最/大/程度减小基体效应

• 分析速度快：6 个样品 / 小时，50 种 ppb 级元素

半导体行业对离子污染非常敏感，而几乎所有过程均需要使用高纯水，因此高纯水的质量非常重要。对不同的级别的生 产线，对高纯水的质量要求不一样，如 ASTM 和 SEMI 对高纯水中杂质离子有不同的明确限值要求。采用大定量环上样， 可实现 ppt 级别杂质分析

2. 在线色谱系统 -Integral 系统工业环境迁移方案

在系统中加入浓缩柱，反相有机溶剂经过浓缩柱时，离子被吸附，而主成分无保留，可被超纯水冲走，再由流动相将吸 附的待测离子带入色谱柱分离并检测。

4. 强碱中的阴离子分析

5. 浓酸中痕量离子测定

5.1 弱酸中的阴离子 :  

采用阀切换，在线消除弱酸影响，第一维从基体中分离待测物，减少基体离子含量；将待测物转移至第二维分离、测定。

5.2 浓强酸中的阴离子采用直接稀释分析，如 68% 硝酸中的阴离子

6. PCB 板中痕量离子测定