德国siegert wafer晶圆8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10

—赫尔纳贸易

供应德国siegert wafer晶圆，货期短，支持选型，为您提供一对一解决方案，在中国设有8个办事处，可为您提供售前、售中和售后服务。

siegert wafer晶圆介绍：

我们为大学、研究实验室和工业界提供硅晶圆。我们的客户受益于我们在半导体行业多年的经验。这对于为相应应用提供产品至关重要。

除了硅之外，您当然还会在我们的产品组合中找到小批量生产的 由熔融石英、硼浮法和其他玻璃、蓝宝石和SOI 晶圆制成的基板。

得益于我们的大型仓库，我们可以随时快速回复您的询问。在这里您可以查看我们的库存。除了标准产品外，我们还可以根据您的要求提供特殊基材。

作为经验丰富的硅片供应商，我们几乎可以为您提供您需要的任何规格。在我们这里，您将找到来自直拉 (CZ) 和浮区 (FZ) 培养工艺的高纯度威化饼。

个别规格通常也可以小批量实施。我们保证为您提供解决方案——通常甚至有库存！即使是单个晶圆也可以在内部洁净室中分离。

siegert wafer晶圆产品分类：

Ø 硅晶片

Ø 硅锭

Ø 玻璃晶圆

Ø SOI晶圆

Ø 蓝宝石晶片

Ø 掩模坯料

siegert wafer晶圆应用：

Ø 半导体产业

Ø 光伏产业

Ø 电子消费产品制造

Ø 化学

Ø 实验室样品制备

siegert wafer晶圆介绍

Ø 典型晶圆规格：

2 英寸（50.8 毫米）

3 英寸（76.2 毫米）

100 毫米

125 毫米

150 毫米

200 毫米

300 毫米

Ø 等级

Prime

Test

Monitor

Dummy

Reclaim

Ø 生长

Ø CZ (直拉法)

Ø FZ-HPS (区熔法，超纯硅)

Ø FZ-NTD (区熔法，中子嬗变掺杂)

Ø FZ-GD (区熔法，气体掺杂)

Ø 类型/掺杂剂

Ø P/B（硼）

Ø N/Ph（磷）

Ø N/Sb（锑）

Ø N/As（砷）

Ø 未掺杂

Ø 本征（仅 FZ）

Ø 方向

Ø <100>

Ø <111>

Ø <110>

Ø 电阻率

Ø 0.001 - 50,000 欧姆-厘米

Ø 厚度

Ø 100 - 8,000 µm

Ø 表面处理

Ø 单面抛光 (SSP)

Ø 双面抛光 (DSP)

Ø 切割

Ø 研磨

Ø 蚀刻

Ø 扁平/凹槽 半

Ø 标准

Ø 单扁平

Ø Jeida 扁平

Ø 凹槽

Ø 无（圆形）

Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10介绍

直径200mm±0.2mm

材料：硅

生长方向：FZ

等级：prime

类型/掺杂剂：内在/未掺杂

方向：<100>±0.5°

电阻率：>10,000 Ohm-cm

厚度：450 ±15 µm

表面光洁度：双面抛光

槽口：1, SEMI-Std.

TTV：<10 µm

Bow：<40 µm

Warp：<40 µm

颗粒≥0.3µm：<20

生命周期：>1000µs

包装:Cassettes

siegert wafer晶圆主要型号

Si-Wafer 4P0/1-5/525±20/SSP/TTV<5

Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10

Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/725±15/DSP/TTV<10