（1）VPD 溶液的分析

气相分解- 电感耦合等离子体质谱联用（VPD-ICP-MS）法，具有业界所需的检测限和稳定性，测试结果快速可靠，广泛应用于硅晶片的测试，硅晶片的纯度一般要求在99.9999999%以上。

纯度要求如此之高，这就到了ICP-MS 大显身手的时候了！

VPD 样品中含有高含量的酸和硅基体，并且目标检测元素的含量通常也非常低，由于基体溶液会产生大量的多原子离子干扰（如表一所示），所以说VPD 溶液的测试是挑战性的。为了得到更加的结果，干扰的去除是非常必要的，比如使用串接式等ICP-MS，高分辨ICP-MS 和使用碰撞反应池等技术。

（2）半导体级异丙醇的分析

异丙醇（IPA）用清洗硅片的溶剂时，会与硅片表面直接接触，因此，必须控制其痕量金属杂质浓度。采用灵敏高的ICP-MS 技术直接分析IPA 可为IPA 中超痕量分析物（ng ? L-1）提供有用的控制，并避免由样品制备引起的污染。

ICAP TQs ICP-MS 结合了三重四极杆和冷等离子体技术，该高度灵活的方法实现了半导体行业分析所需的超痕量背景等效浓度（BEC）和检测限（LOD）。

校正数据

图 4 显示了 IPA 中 Li、P、K、Ti、As、Zr 和 Ta 的校正曲线。采用校正标准品在 ng·L-1 级水平范围内测得的校正曲线呈现出优异的线性和灵敏度。通过三重四极杆模式和冷等离子体得到改善的干扰去除可实现更具挑战性分析物的低背景噪声。

2、RoHS 解决方案

赛默飞为RoHS指令中的有害物质多溴联苯、多溴二苯醚阻燃剂、邻苯二甲酸酯和多环芳烃等有害物质的测定提供加速溶剂萃取（ASE）前处理、气相色谱（GC）、气相色谱- 质谱联用仪（GC-MS）和液相色谱仪（HPLC）等检测技术，并提供原子吸收光谱仪（AAS）、电感耦合等离子发射光谱仪（ICP-OES）、电感耦合等离子体- 质谱仪（ICP-MS）和离子色谱仪（IC）用于测定镉、铅和汞，分离并测定六价铬。具体详情可参考《RoHS 指令检测产品及技术——色谱质谱及光谱仪综合解决方案》或与我们联系。