光刻胶的主要技术参数及其分类
时间：2017-07-27 阅读：11042
光刻胶的主要技术参数及分类
光刻胶的主要技术参数
分辨率（resolution）：是指光刻胶可再现图形的zui小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，Critical Dimension）衡量分辨率。
对比度（Contrast）：指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。
敏感度（Sensitivity）：光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的zui小能量值（或zui小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米mJ/cm2。
粘滞性/黏度 （Viscosity）：衡量光刻胶流动特性的参数。光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞性增加。
粘附性（Adherence）：是指光刻胶与晶圆之间的粘着强度。
抗蚀性（Anti-etching）：光刻胶黏膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中保护衬体表面，这种性质被称为抗蚀性。
表面张力（Surface Tension）：液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力。
光刻胶的分类
1.根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类
正胶（Positive Photo Resist）：曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。
负胶（Negative Photo Resist）：反之。
正胶 | 优点 | 分辨率高、对比度好 |
缺点 | 粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本 | |
灵敏度 | 曝光区域光刻胶*溶解时所需的能量 | |
负胶 | 优点 | 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快 |
缺点 | 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率 | |
灵敏度 | 保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量 |
2. 根据光刻胶能形成图形的zui小光刻尺寸来分：
传统光刻胶（正胶和负胶）
适用于紫外光（UV），I线365nm、H线405nm和G线436nm，关键尺寸在0.35um及其以上。
化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）
适用于深紫外光（DUV），KrF 准分子激光248nm和 ArF准分子激光193nm。