集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料，经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后，结合光罩进行曝光、显像，使晶圆上形成各类型的电路，再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后，进行金属蒸发，使各元件的线路及电极得以形成，后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片，再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。各主要制程单元概述如下：

 氧化与模附着

原料晶圆在投入制程前，本身表面涂有2μm厚的AI2O3，与甘油混合溶液保护之，晶圆的表面及角落的污损区域则藉化学蚀刻去除。

为制成不同的元件及集成电路，在芯片长上不同的薄层，这些薄层可分为四类:热氧化物，介质层，硅晶聚合物及金属层。热氧化物中重要的薄层有闸极氧化层(gate oxide;与场氧化层(field oxide)，此二层均由热氧化程序制造。