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P+F传感器NBN40-L2-E2-V1技术参数

时间:2022-01-17      阅读:411

P+F传感器NBN40-L2-E2-V1技术参数

P+F传感器NBN8-18GM50-E0原厂进口,*,假一赔十,*,有原厂出库单,提供报关单,欢迎选购。

线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成,它输出模拟量。开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器,斯密特触发器和输出级组成,它输出数字量。霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低。霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号。

若使霍尔集成电路起传感作用,需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关,当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时,磁场偏离集成片,霍尔电压消失。这样,霍尔集成电路的输出电压的变化,就能表示出叶轮驱动轴的某一位置,利用这一工作原理,可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器,它要有外加电源才能工作,这一特点使它能检测转速低的运转情况。

室温管温传感器:室温传感器用于测量室内和室外的环境温度,管温传感器用于测量蒸发器和冷凝器的管壁温度。室温传感器和管温传感器的形状不同,但温度特性基本一致。按温度特性划分,美的使用的室温管温传感器有二种类型:1.常数B值为4100K±3%,基准电阻为25℃对应电阻10KΩ±3%。

NBN5-F7-E2  NJ5-18GM-N   

NBB2-12GM50-E2-V1       

NBN8-18GM50-E0    

NJ8-18GM-N  

NBB4-12GM50-E0-V1       

NBN8-18GM50-E2           

NJ15+U1+E2    

NBB4-12GM50-E2-V1  

NBN8-18GM50-E0-V1      

NJ15+U1+WNBB5-18GM50-E0     

NBN8-18GM50-E2-V1        

NJ20+U1+E2     

NBB5-18GM50-E2   


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