电路设计是传感器功用好坏的关键要素，由于温湿度传感器输出端是纤细的信号，假定由于噪声引起有用的信号被吞没，所以增强传感器电路的抗干扰性超卓。咱们需了解传感器电路噪声的来历，以便找出好的方法来下降噪声。传感器电路噪声一般有如下七种：

1、低频噪声，

低频噪声是由内部的导电微粒不连续运动构成的。是碳膜电阻，其碳质材料内部存在许多纤细颗粒，颗粒之间是不连续的，在电流流过期，会使电阻的导电率发生改动惹起电流的改动，发生相似接触不良的闪爆电弧。晶体管也发生过相似的爆裂噪声和闪耀噪声，其发生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶体管的掺杂水平有关。
 

2、半导体器材发生的散粒噪声

由于半导体PN结两头势垒区电压的改动，导致累积在此区域的电荷数量改动，然后出现电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区会向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压小时，它使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。外加反向电压时，耗尽区改动相反。当电流流经势垒区，这种改动会惹起流过势垒区的电流发生纤细不坚决，而发生电流噪声。发生的噪声巨细与温度、频带宽度△f成正比。

3、高频热噪声

高频热噪声是由于导电体内部电子的无规则运动发生的。温度越高，电子运动就越剧烈。导体内部电子的无规则运动会在其内部构成许多纤细的电流不坚决，因其是无序运动，故它的均匀总电流为零，但当它作为一个元件(或作为电路的一部分)被接入扩展电路后，其内部的电流就会被扩展成为噪声源，对作业在高频频段内的电路高频热噪声影响尤甚。

一般在工频内，电路的热噪声与通频带成正比，通频带越宽，电路热噪声的影响就越大。以一个1kΩ的电阻为例，假定电路的通频带为1MHz，则出现在电阻两头的开路电压噪声有效值为4μV(设温度为室温T=290K)。看起来噪声的电动势并不大，但假定将其接入一个增益为106倍的扩展电路时，其输出噪声可达4V，这时对电路的干扰就很大了。
 

4、晶体管的噪声

晶体管的噪声首要有热噪声、散粒噪声、闪耀噪声。

热噪声是由于载流子不规则的热运动通过BJT内3个区的体电阻及相应的引线电阻时而发生。其间温湿度变送器所发生的噪声是首要的。

一般所说的BJT中的电流，仅仅一个均匀值。实践上通过发射结注入到基区的载流子数目，在各个瞬时不相同，因此发射电流或集电流都有无规则的不坚决，会发生散粒噪声。

由于半导体材料及制作工艺程度使得晶体管外表清洁处置欠好而惹起的噪宣称为闪耀噪声。它与半导体外表少数载流子的复合有关，表现为发射电流的凹凸，其电流噪声谱密度与频率近似成反比，又称1/f噪声。它首要在低频(kHz以下)规划起首要效果。

5、电阻器的噪声

电阻的干扰来自于电阻中的电感、电容效应和电阻本身的热噪声。例如一个阻值为R的实芯电阻，可等效为电阻R、寄生电容C、寄生电感L的串并联。寄生电容为0.1～0.5pF，寄生电感为5～8nH。在频率高于1MHz时，这些寄生电感电容就不可无视了。

电阻都发生热噪声，一个阻值为R的电阻(或BJT的体电阻、FET的沟道电阻)未接入电路时，在频带B内所发生的热噪声电压式中：k为玻尔兹曼常数;T是温度(单位：K)。热噪声电压本身是一个非周期改动的时间函数，它的频率规划是很广大。所以宽频带扩展电路受噪声的影响比窄频带大。

电阻发生接触噪声，接触噪声电压式中：I为流过电阻的电流均方值;f为频率;k是与材料几许外形有关的常数。由于Vc在低频段起着重要的效果，所以它是低频传感器的首要噪声源。

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