近红外二区量子点：硒化银（Ag2Se）QDs结构和光学性质表征

时间：2021-11-22 阅读：950

近红外二区量子点：硒化银（Ag2Se）QDs结构和光学性质表征

无机半导体量子点具有物理化学性质，包括尺寸依赖的荧光发射、高的发光强度、高的光物理/化学稳定性和表面易功能化等，应用于发光二极管（LED）、太阳能电池、激光器和生物成像等领域。因此，设计合成具有高荧光量子产率（PLQY）、可调的荧光发射和生物相容性的量子点是研究热点。

近红外窗口（NIR-II，900-1700 nm）荧光由于活体对其光子的吸收和散射效应降低，在生物医学成像和近红外LED等方面得到研究。。以Ag2Se为例，它具有窄的直接带隙（0.15 eV），是一种的NIR-II荧光材料。然而，Ag2Se中Ag离子的高迁移率导致大量的阳离子空位和晶体缺陷，导致Ag2Se量子点的PLQY小于1%。因此，研究一种新的策略来获得高PLQY的Ag基量子点具有重要意义。

研究人员采用合金化的方法合成了银金硒（AgAuSe）量子点。该量子点发射峰位于978 nm，其PLQY为65.3%（为目前报道的不含性重金属的NIR-II量子点PLQY的记录），发射半峰宽为90 nm，寿命为4.58 μs。结合变温光谱，表明该量子点PLQY的主要原因在于非辐射跃迁的。进一步通过瞬态吸收光谱，表征了其激子动力学过程。该合金化策略对不同尺寸的Ag2Se量子点具有普适性，可在820-1170 nm范围内调节AgAuSe量子点的荧光发射光谱。这种具有重金属元素的高PLQY量子点在生物成像、发光二极管和光伏器件中表现出应用潜力。

近红外二区：硒化银量子（Ag2Se）量子点

无机半导体量子点具有物理化学性质，包括尺寸依赖的荧光发射、高的发光强度、高的光物理/化学稳定性和表面易功能化等，应用于发光二极管（LED）、太阳能电池、激光器和生物成像等领域。因此，设计合成具有高荧光量子产率（PLQY）、可调的荧光发射和生物相容性的量子点是研究热点。近红外窗口（NIR-II，900-1700 nm）荧光由于活体对其光子的吸收和散射效应降低，在生物医学成像和近红外LED等方面得到研究。Ag基量子点（Ag2S和Ag2Se）是的不含有性重金属元素的NIR-II荧光探针。以Ag2Se为例，它具有窄的直接带隙（0.15 eV），是一种的NIR-II荧光材料。然而，Ag2Se中Ag离子的高迁移率导致大量的阳离子空位和晶体缺陷，导致Ag2Se量子点的PLQY小于1%。因此，研究一种新的策略来获得高PLQY的Ag基量子点具有重要意义。

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