Si3N4陶瓷基片 晶体基片

基片材料Si3N4陶瓷基片 晶体基片

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2021-01-19 18:13:33
520
属性:
纯度:97;分子式:Si3N4;供货周期:现货;规格:mg;应用领域:化工;主要用途:科研;
>
产品属性
纯度
97
分子式
Si3N4
供货周期
现货
规格
mg
应用领域
化工
主要用途
科研
关闭
西安齐岳生物科技有限公司

西安齐岳生物科技有限公司

初级会员6
收藏

组合推荐相似产品

产品简介

Si3N4陶瓷基片 晶体基片
抗弯强度 650~750 Mpa
韦泊模数 10~12
溶解度 不溶于水。

详细介绍

Si3N4陶瓷基片 晶体基片

氮化硅的强度很高,是热压氮化硅,是上坚硬的物质之一。它极,强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降,受热后不会熔成融体,一直到1900℃才会分解,并有惊人的耐化学腐蚀性能,能耐几乎的无机酸和30%以下的烧碱溶液,也能耐很多有机酸的腐蚀;同时又是一种电材料。氮化硅陶瓷可做燃气轮机的燃烧室、机械密封环、输送铝液的电磁泵的管道及阀门、模具、钢水分离环等。

Si3N4陶瓷基片 晶体基片

氮化硅(Si3N4)陶瓷    

氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料。它是用硅粉作原料,先用通常成型的方法做成所需的形状,在氮气中及1200℃的高温下进行初步氮化,使其中一部分硅粉与氮反应生成氮化硅,然后在1350℃~1450℃的高温炉中进行次氮化,反应成氮化硅。用热压烧结法可制得理论密度99%的氮化硅。

分子式 Si3N4

相对分子质量 140.28

颜色 灰色、灰黑色

晶系 六方晶系。晶体呈六面体

陶瓷片制备方法 热压法

相对密度 99.5%

密度 3.2+/-0.02 g/cm3

莫氏硬度 9~9.5

熔点 1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃分解

热膨胀系数 2.8~3.2×10-6/(20~1000)

比热容 0.71J/(g·K)

热导率 15~ 20W/(m·K)

弹性模量 300~320 GPa

 


西安齐岳生物提供二维晶体材料:人工二碲化钨粉末(化学气相传输法)、人工二碲化钼粉末、人工二碲化钼粉末、人工二硒化钼MoSe2粉末、人工二硒化钨粉末、人工二硒化钨粉末、人工二硫化钨粉末、人工二硫化钨粉末、人工二硫化钼粉末、人工二硫化钼MoS2粉末、二硫化钼粉末、二硫化钼粉末

相关产品

CrPS4 晶体
Cu3Se2晶体
GePbS3 晶体
Cr2S3晶体
Sb2Te3 碲化锑 晶体
Bi2Te3 碲化铋晶体
Bi2Se3 硒化铋晶体
拓扑体-二维晶体
Cr2Ge2Te6 晶体
Bi2O2Se晶体  >10、25、100平方毫米
Nb2SiTe4晶体
ZrTe5晶体
SbTe晶体

指南:
1.提供的产品的单价,产品规格,型号,价格条款,原产地
2.提供样品,小订货量,交货期,包装方式,质量/;
3.提供使用说明书、核磁图谱、合成路线;制备方案、合成步骤等信息请咨询客服。zl 01.19

上一篇:纳米银颗粒负载八面体Zr-UIO-66的制备过程 下一篇:纳米银修饰壳聚糖的方法
热线电话 在线询价
提示

请选择您要拨打的电话:

当前客户在线交流已关闭
请电话联系他 :