仪表化晶圆温度测量 晶圆硅片测温热电偶

仪表化晶圆就像一位高精度的温度管家，在光刻胶跟踪系统和晶圆探测器等工艺中，它以高精度、原位加热板温度测量的方式，直接监控晶圆的温度稳定性和均匀性。它不依赖非精确工艺监控器或接触式温度传感器，而是凭借自身的监测装置，帮助光刻工程师微调光刻胶烘烤温度的均匀性，确保*光刻工艺满足实现高良率所需的温度精度。

仪表化晶圆可用于监控各种工艺的原位温度，其中包括冷壁、RTP、溅射、CVD、等离子剥离器和外延反应器。仪表化晶圆测温系统可在工艺周期的每个关键步骤提供直接、原位的晶圆温度测量结果。借助这些全面的温度数据，工艺工程师便可测量和微调工艺条件，从而提升工艺设备性能、晶圆质量和良率。

主要应用

工艺开发、工艺鉴定、工艺工具鉴定、工艺工具匹配

冷壁薄膜工艺室 (1530)、热壁薄膜工艺室 (1535) | 0-1100°C

等离子体工艺室 (1540)、分子束外延 (MBE) 室 (1550)、MOCVD 室 (1560)、溅射镀膜室 (1510) 用于在生产期间实时监控和调整温度。

仪表化晶圆测温系统由高精度温度传感器和控制单元组成，可提供准确的温度测量结果，并实时监控晶圆温度。这些系统可直接集成到现有的工艺设备中，无需对工艺设备进行任何更改或调整。通过与工艺设备控制系统集成，仪表化晶圆测温系统可实现实时监控和调整晶圆温度，以确保工艺质量和良率。

借助仪表化晶圆测温系统，工艺工程师可以获得全面的温度数据，从而更好地了解工艺设备的性能和晶圆质量。这些数据可用于工艺设备的维护和优化，以及晶圆制造过程中的质量控制。此外，仪表化晶圆还可用于研究和开发新的工艺技术和设备，以进一步推动半导体产业的发展。

仪表化晶圆测温系统在半导体制造领域具有广泛的应用前景，可帮助工艺工程师更好地控制工艺过程，提升工艺设备性能和晶圆质量，同时降低生产成本和提高良率。