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NXP A5M35TG140-TCT1 技术参数

时间:2024-07-02      阅读:157

A5M36TG140是一款 集成的多尔蒂功率放大器模块,专为无线基础设施应用而设计,这些应用要求以最小的占地面积获得高性能。非常适合大规模MIMO系统、户外小型蜂窝和低功率远程无线电头的应用。经过现场验证的LDMOS和GaN on SiC功率放大器是为TDD LTE和5G系统设计的。特征
2级模块解决方案,包括作为驱动器的LDMOS集成电路和GaN末级放大器
先进的高性能封装内Doherty
匹配(50欧姆输入/输出,直流阻塞)
专为低复杂度数字线性化系统设计
减少记忆效应,改善线性化误差矢量幅度
符合RoHS
零件号包括:A5M36TG140。
恩智浦60多年来一直是射频创新和技术领域的,为蜂窝基础设施、消费和工业应用提供了广泛的射频解决方案组合,从毫瓦到千瓦,包括SiC上的GaN、LDMOS和SiGe技术产品。
5G射频基础设施
适用于各种网络和架构的端到端解决方案,提供GaN、LDMOS和SiGe分立晶体管、IC和多芯片模块的完整阵容。这些解决方案包括所有低于6 GHz和毫米波的频带,支持所有蜂窝标准。

宏远程无线电头
大功率Aircast离散解决方案,专为20至80W无线电设计。

有源天线系统
适用于5至10W无线电和宏驱动器的多芯片模块、IC、LNA和离散mMIMO解决方案。

用于5G基础设施的射频高功率GaN解决方案
恩智浦新的RF功率宏GaN晶体管系列专为针对4T4R和8T8R基础设施的40W至80W无线电单元而设计


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