CVD，MOCVD专用氢气发生器使用方法
时间：2024-06-12 阅读：2316
半导体制造技术作为信息时代制造的基础，堪比工业时代的机床，是整个社会发展的基石和原动力。在产业分工格局重塑的关键时期，我国也提出了《中国制造2025》，以通过智能制造实现由制造大国向制造强国的转换。智能制造(工业4.0)的实现，以各种信息器件的使用为基础，半导体制造技术正是其制造的核心技术。
而氢气作为半导体制造中的气源，在半导体材料及器件制备中起到至关重要的作用。可在光电器件、传感器、IC制造中应用。
目前半导体工艺中氢气主要用于退火、外延生长、干法刻蚀等工艺。
退火是通过高温加热释放材料内部应力从而改善材料质量的一种材料处理办法，氢气作为保护气可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生长后释放应力。
氢气也可以应用在化学气相沉积(ChemicalVaporDepositon)薄膜生长。化学气相沉积是一种利用固态-气态反应、气态-气态反应生成薄膜的设备，如在CVD工艺中作为还原性气体制备二维材料MOS2、WS2等；等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中作为还原性气体制备石墨烯、单晶硅、碳化硅等；电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)中作为反应气体在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜；金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备中作为载气制备光电材料GaN、AlGaN等。同时氢气也可以在原子层沉积(AtomicLayerDeposition)中使用。
氢气在等离子体刻蚀(RIE/ICP)中作为反应气体出现，等离子体刻蚀原理是利用反应气体离化后与材料发生反应生成挥发性物质，从而实现材料图形化，是半导体器件制备的工艺。
CVD,MOCVD专用氢气发生器目前已大量应用在以上工艺中，为半导体材料及器件制备提供好的气源。
CVD,MOCVD专用氢气发生器技术参数：
1、氢气纯度：99.9999-99.99999%（外接提纯仪）
2、氢气流量：50L/min
3、输出压力：0-1.2MPa
4、压力稳定性：<0.001MPa
5、供电电源：220V±10%50HZ
6、消耗功率：20KW
7、纯水需求：＞2MΩ&3L/h
8、氢气容积：＜20L
9、环境温度：1-40℃
10、相对湿度：<85%
11、海拔高度：＜2000米
12、外形尺寸：220x100x200（WxDxHcm）
13、净重：约600kg(50L)
正确操作步骤：
一、准备工作
检查设备：首先，应仔细检CVD,MOCVD专用氢气发生器外观是否完好，电源连接是否正常，并核对装箱单上的品名数量是否齐全。同时，确保仪器“O2”口畅通，加液口盖子取下以便注液。
环境准备：选择一个具有良好通风性、远离热源、无震动、无阳光直射、无粉尘和腐蚀性气体的场所放置。环境温度应控制在0℃-40℃，环境相对湿度应不超过85%。
二、开机操作
连接电源：将仪器输出密封帽旋紧，接通电源线，打开电源。此时，应观察仪器流量显示，当显示为300ml/min时，表示仪器正在自检。
自检与准备：如果流量显示数字大于0，请用皂液检查输出口，看螺帽是否旋紧。自检合格后，关机并将输出口螺帽取下。用管路接通用气设备（或气体净化装置），再次打开电源，仪器进入工作状态。
三、使用过程
流量检查：在使用过程中，应注意流量显示是否与用气设备用气量一致。如流量显示超出用气设备实际用量较大时，应停机检漏，检查连接点或用气设备是否有漏气现象并予以解决。
维护保养：定期检查过滤器中的硅胶是否变色，如变色请马上更换或再生。该设备使用一段时间后，电解液会逐渐减少，当电解液位接近低位应及时补水，加入二次蒸馏水即可。
四、关机操作
使用完毕后，按照正常关机程序关闭CVD,MOCVD专用氢气发生器，并断开电源。