SUNX日本进口CMOS型微型激光位移传感器说明书

・输出阻抗：100Ω
实现1/100ｍｍ的高精度检测
・ 剩余电压：1.5V以下(流出电流50mA时)
800μm(测量距离400～600mm)
・ 漏电流：0.1mA以下
<PNP输出型>
采用位移传感器所使用的高精度CMOS影像传感器，以及位移传感器直使用的*的算法，
±0.3%F.S.(测量距离400～600mm)
温度特性 0.03% F.S./℃
重复精度  200μm
300μm(测量距离200～400mm)
设计出内部安装有镜面的新型光学系统
般通过延长受光部分与受光元件(CMOS)之间的光路长度，
<NPN输出型>
同时又可实现与变位传感器相媲美的高精度测量。
红色半导体激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]
・ 温度特性：0.03％F.S./℃
不仅能以mm为单位显示数值，还能读取模拟输出数值。
PNP开路集电晶体管
・ zui大流入电流：50mA
・ 外加电压：30V DC以下(控制输出-+V之间)
但是另方面，传感器的进深方向会变长，机身形状也会变大。
从而可获得精度更高、更稳定的测量值，
・ 剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)
形状达到业内小型※的CMOS激光传感器

SUNX日本进口CMOS型微型激光位移传感器说明书
・ 漏电流：0.1mA以下
输出动作  入光时ON/非入光时ON　可切换
短路保护  配备(自动恢复)
模拟电压输出
・输出范围：0～5V(报警时：+5.2V)
用测距传感器规定测定值
・ 直线性：±0.1％F.S.※1
读入到PLC＋模拟量单元，还能执行各种运算，并存储(记录)测量值。
直线性  ±0.2%F.S.
±0.2%F.S.(测量距离200～400mm)
NPN开路集电晶体管
・ zui大流入电流：50mA
・外加电压：30V DC以下(控制输出-0V之间)
模拟电流输出
・输出范围：4～20mA(报警时：0mA)
・输出阻抗：300Ω
反应时间  1.5ms／5ms／10ms　可切换
采用高精度CMOS传感器&*的算法
zui大输出：1mW、投光波峰波长：655nm
电源电压  12～24V DC±10%　脉动P-P10%以下
消耗电流(注4)
40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时)
使距离设定反射型传感器实现*的高精度（1/100mm）。
测量距离  200mm
HG-C系列设计出内部安装有反射镜的新型光学系统，并缩短进深方向的尺寸，
测量范围  ±80mm