实验仪器：
磁阻效应综合实验仪 型号：FMD3099
实验目的
1.测量电磁铁的磁感应强度与励磁电流的关系和电磁铁磁场分布。
2.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。
3.作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。
4.对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。
实验原理：
条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。
指标：
电压表量程：0~1999.9mV；分辨率：0.1mV，四位半数字显示；
数字毫特仪：测量范围0~1000mT；分辨率0.1mT，四位半数字显示
励磁恒流源：0~1.0A连续可调；分辨率1mA，三位半数字显示；
交流励磁电压：VP-P≥12V；频率≤10HZ；
恒流输出电流：0~3mA连续可调，供锑化铟传感器工作的电流；
移动尺装置：横向移动距离0~40mm；
电磁铁缝隙：约5mm；
仪器采用多圈电位器；
励磁电流采用六脚船型换向开关；
思考题：
1.什么叫做磁阻效应？霍耳传感器为何有磁阻效应？
2.锑化铟磁阻传感器在弱磁场中电阻值与磁感应强度的关系和在强磁场中时有何不同？这两种特性有什么应用？