MR-2型磁阻效应实验仪产品介绍：

磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用，如：数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统位置测量等探测器。磁阻器件品种较多，可分为正常磁电阻，向异性磁电阻，特大磁电阻，巨磁电阻和隧道磁电阻等。其中正常磁电阻的应用普遍。锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻，有着重要的应用价值。它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。本实验装置结构简单，实验内容丰富，使用两种材料的传感器：砷化镓（GaAs）作为测磁探头测量电磁铁气隙中的磁感应强度，研究锑化铟（InSb）在磁感应强度下的电阻，融合霍尔效应和磁阻效应两种物理现象，具有研究的前瞻性，适合大学物理实验。

MR-2型磁阻效应实验仪实验项目：

3.测定通过电磁铁的励磁电流IM和电磁铁气隙中磁感应强度的关系,观测GaAs传感器的霍尔效应。

1.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。

4.作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合

2.外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应）和观测其*的物理现象。

MR-2型指标：

电压表量程：±1999.9mV，四位半数字电压表显示；

分辨率：0.1mV

数字毫特仪量程：0±1999.9mT

分辨率：0.1mT

度优于：1%FS；四位半数字显示

恒流源

输出电流：0-1A，连续可调；

分辨率1mA，三位半数字电流表显示；

内置InSb电阻用恒流源0-4mA