高精度纳米级压电位移平台“PIEZOCONCEPT”！
--半导体界后摩尔时代的手术刀。

第三代半导体是后摩尔时代实现芯片性能突破的核心技术之一，*性能和广泛的下游应用使相关厂商存在良好发展前景。随着下游终端需求改善，下游结构升级及国产替代是半导体界发展的趋势。然而运动控制核心部件对于众多产业布局，往往起到了关键性作用；高精度纳米级压电位移平台，仍然是众多企业亟不可待的关键产品。

昊量光电推出“PIEZOCONCEPT”公司高精度纳米级压电位移平台系列产品，它的产品犹如一把手术刀，具备精确、锋利、专业、值得信任的特点；它代表着高精度、高稳定性、高响应速度、高抗疲劳性。

下面对“PIEZOCONCEPT”产品进行详细的介绍：

1.PIEZOCONCEPT单轴位移平台

PIEZOCONCEPT单轴位移平台产品是可以在单个维度上提供精确定位的产品，主要包含X轴压电平台、Z轴压电平台、物镜扫描台、快速反射镜。

X轴产品图片

Z轴产品图片

一维扫描平台

一维快反镜

2.PIEZOCONCEPT两轴位移平台

两轴压电平台可以提供两个维度上的平移或偏转，主要包括XY二维压电纳米位移台和二维快反镜。

XY轴压电平台

二维快反镜

3.PIEZOCONCEPT三轴位移平台

XYZ轴压电平台

4. PIEZOCONCEPT位移台 du特优势

昊量光电推出“PIEZOCONCEPT”高精度单轴、双轴、三轴纳米级压电位移台、物镜扫描台、快反镜系列产品；该压电平台以压电陶瓷为驱动，采用了柔性铰链连接的方法，具备精确导向性、高稳定性、高抗疲劳性的特点，同时搭配高精度硅基位移传感器、16Bit高分辨率高速控制器，具有高响应速度，亚纳米级的分辨率，超低底噪（10-50pm）和超高线性度（0.02%），广泛应用于高精密位移领域，包括但不局限于半导体领域。

功能的du特优势包括：

亚微米级别的重复定位精度

稳定性远远优于同类产品

0-1500微米级的移动范围

5.PIEZOCONCEPT使用什么类型的传感器？为什么它优于其他传感器技术？

PIEZOCONCEPT使用单晶硅传感器，称为硅基位移传感器。尽管它是应变传感器大家族的一部分，但它优于其他两种常用传感器（电容式传感器和金属应变传感器）。这两种传感器与PIEZOCONCEPT单晶硅传感器相比都有明显的缺点。

电容式传感器与PIEZOCONCEPT硅基位移传感器相比，对以下方面很敏感：

•气压变化：空气的介电常数取决于气压。测量将受到任何压力变化的影响。

•温度变化：空气的介电常数也会随温度变化。

•污染物的存在。

以上所有这些都会导致纳米级的一些不稳定性，即使可以对空气压力和温度进行校正，也不可能校正其它因素（污染物、排气）的影响。这解释了电容式传感器在真空环境中性能不佳的原因。此外，电容传感器非常昂贵和笨重。硅HR传感器技术是一种固态技术，它的电阻不依赖于空气压力或污染物的存在。其次，虽然温度变化对测量有影响（主要是因为材料的热膨胀），但这可以通过使用传感器阵列进行校正。基本上，PIEZOCONCEPT在每个轴上使用两个平行的硅传感器，一个用于测量，另一个用于考虑温度变化引起的材料膨胀。

6.金属应变传感器与PIEZOCONCEPT硅基位移传感器的比较。

金属应变传感器和PIEZOCONCEPT硅基位移传感器之间的差异更大。

第1个区别是应变系数：半导体应变传感器（硅基位移传感器）的应变系数大约是金属应变传感器的100倍。更高的应变系数导致更高的信噪比，zui终导致更高稳定性。

第2个区别是金属应变传感器不能直接安装在挠曲装置上（也就是实现运动的地方）：金属应变传感器必须安装在某种“背衬”上，这就导致了压电致动器存在蠕变或滞后现象。由于压电致动器的膨胀不均匀，因此仅测量致动器的一部分伸长率无法精确推导其完整伸长率。硅基位移传感器是通过对挠曲本身进行测量，不存在这种“不均匀性”问题。

综上所述，硅基位移传感器在环境背景中优于电容式传感器，在信噪比和稳定性方面优于金属应变传感器。

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