美国霍尼韦尔Honeywell电流传感器标定
时间：2022-05-26 阅读：1441
美国霍尼韦尔Honeywell电流传感器标定：
1、偏移电流ISO
偏移电流必须在IP=0、环境温度T≈25℃的条件下进行校准，按方法（双极性供电）接线，且测量电压VM必须满足：
VM≦RM×ISO (5)
2、精度
在IP=IPN（AC or DC）、环境温度T≈25℃、传感器双极性供电、RM为实际测量电阻的条件下进行测量，并用公式(3)计算精度。
3、保护性测试
霍尔电流传感器在测量电路短路、测量电路开路、供电电源开路、原边电流过载、电源意外倒置的条件下都可受到保护。对上述各项测试举例如下：
（1）测量电路短路
此项测试必须在IP=IPN、环境温度T≈25℃、传感器双向供电、RM为实际应用中的电阻条件下进行，开关S应在一分钟之内合上和打开。
（2）测量电路开路
此项测试条件为IP=IPN、环境温度T≈25℃、传感器双向供电、RM是实际应用中的电阻。开关S应在一分钟之内完成闭合/打开切换动作。
（3）电源意外倒置测试
为防止电源意外倒置而使传感器损坏，在电路中专门加装了保护二极管，此项测试可使用万用表测试二极管两端，测试应在IP=0、环境温度T≈25℃、传感器不供电、不连接测量电阻的条件下进行。可使用以下两种方法测试：
第一种：万用表红表笔端接传感器“M”端，万用表黑表笔端接传感器“+”端；
第二种：万用表红表笔接传感器负极，万用表黑表笔接传感器M端；
在测试中，如万用表鸣笛，说明二极管已损坏。
八、传感器应用计算[5]
电流传感器的主要计算公式如下：
NPIP=NSIS； 计算原边或副边电流
VM=RMI； 计算测量电压
VS=RSIS； 计算副边电压
VA=e+VS+VM； 计算供电电压
其中，e是二极管内部和晶体管输出的压降，不同型号的传感器有不同的e值。这里我们仅以ES300C为例，这种传感器的匝数比NP/NS=1/2000、标准额定电流值IPN=300A rms 、供电电压VA的范围为±12V~±20V（±5%）、副边电阻RS=30Ω ，在双极性（±VA）供电，其传感器测量量程>100A且无防止供电电源意外倒置的保护二极管的情况下，e=1V。在上述条件下：
（1）给定供电电压VA，计算测量电压VM和测量电阻RM：
假设：供电电压VA=±15V
根据上述公式得：
测量电压VM=9.5V；
测量电阻RM=VM/IS =63.33Ω；
副边电流IS=0.15A。
所以当我们选用63.33Ω的测量电阻时，在传感器满额度测量时，其输出电流信号为0.15A ，测量电压为9.5V。
（2）给定供电电压和测量电阻，计算欲测量的峰值电流；
假设：供电电压VA=±15V，测量电阻RM=12Ω，
则：VM+VS=（RM+RS）×IS =VA-e=14V
而：RM+RS=12W+30W=42W，
则最大输出副边电流： A
原边峰值电流：IPmax=ISmax(NS/NP)=666A
这说明，在上述条件下，传感器所能测量的最大电流即原边峰值电流为666A。如果原边电流大于此值，传感器虽测量不出来，但传感器不会被损坏。
（3）测量电阻（负载电阻）能影响传感器的测量范围。
测量电阻对传感器测量范围也存在影响，所以我们需要精心选择测量电阻。用下式可计算出测量电阻：
其中，VAmin—扣除误差后的最小供电电压；
e—传感器内部晶体管的电压降；
RS—传感器副边线圈的电阻；
ISmax—原边电流IP为最大值时的副边电流值。
另外我们可以通过下式确认所选传感器的稳定性。
如果VAmin不符合上式，则会造成传感器的不稳定。一旦出现这种情况，我们可以有以下三种方法克服：
1）更换电压更大的供电电源；
2）减小测量电阻的值；
3）将传感器更换成RS较小的传感器。
例如，某种型号的电流传感器，其标准额定电流IPN=1000A，匝数比NP/NS=1/2000，e值为1.5V，副边电阻RS=30Ω，测量电阻RM=15W，用15V电源单极性供电。则VA=30V（单极性供电是双极性供电的2倍）
如您对此文章感兴趣请见：美国霍尼韦尔Honeywell电流传感器