施耐德交流接触器常采用双断口电动灭弧、纵缝灭弧和栅片灭弧三种灭弧方法。用以消除动、静触头在分、合过程中产生的电弧。容量在10A 以上的接触器都有灭弧装置。交流接触器还有反作用弹簧、缓冲弹簧、触头压力弹簧、传动机构、底座及接线柱等辅助部件。

交流接触器的工作原理是利用电磁力与弹簧弹力相配合，实现触头的接通和分断的。交流接触器有两种工作状态: 失电状态(释放状态) 和得电状态(动作状态)。当吸引线圈通电后，使静铁芯产生电磁吸力，衔铁被吸合，与衔铁相连的连杆带动触头动作，使常闭触头断接触器处于得电状态;当吸引线圈断电时，电磁吸力消失，衔铁在复开，使常开触头闭合，位弹簧作用下释放，所有触头随之复位，接触器处于失电状态。

施耐德接触器如下：

LC1-D09M5C

LC1-D12M5C

LC1-D18M5C

LC1-D25M5C

LC1-D32M5C

LC1-D40M5C

LC1-D50M5C

LC1-D80M5C

LC1-D95M5C

LC1-D115M5C

LC1-D150M5C

LC1-D170M5C

LC1-D205M5C

LC1-D245M5C

PN结的单向导电性

掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶，而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙1.12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子*解离化（ionize）。

掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n接面（p-n junction）的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。