AFM电磁学工作模式及对应探针型号

PART.1 

Conductive AFM 导电原子力显微镜

Conductive AFM (cAFM) — 导电原子力显微镜（CAFM）是一种源自接触AFM的二次成像模式，它表征了中到低导电和半导体材料的导电率变化。CAFM的电流范围为pA至μA。

PART.2 

Tunneling AFM 峰值力隧穿原子力显微镜

Tunneling AFM (TUNA) — 峰值力隧穿原子力显微镜（TUNA）的工作原理与导电AFM相似，但具有更高的灵敏度。TUNA表征了通过薄膜厚度的超低电流（80fA和120pA之间）。TUNA模式可以在成像或光谱模式下运行。

PART.3 

Scanning Capacitance Microscopy 扫描电容显微镜

Scanning Capacitance Microscopy (SCM) — 扫描电容显微镜（SCM）绘制了样品表面（通常是掺杂半导体）上大多数载流子浓度（电子或空穴）的变化。SCM向样本施加高频（90 kHz）AC偏压，并使用高频（1 GHz）检测器测量扫描样本表面时的局部样本电容变化。这些电容变化是半导体中多数载流子浓度的函数；因此，相对载流子浓度可以映射在1016–1021 cm-3的范围内。

Laser Diode Cross Section

PART.4 

Piezo Response Microscopy 压电力响应显微镜

Piezo Response Microscopy (PFM) — 压电力响应显微镜（PFM）是一种基于接触模式的技术，可绘制样品上的反向压电效应。对样品进行电刺激，并使用锁定技术监测样品的地形响应。振幅和相位信息揭示了关于样品上极化的强度和方向的信息。

PPLN PFM Data

PART.5 

Electric Force Microscopy 静电力显微镜

Electric Force Microscopy (EFM) — 静电力显微镜（EFM）通过导电探针测量样品表面上方的电场梯度分布。表征样品表面的静电势能，电荷分布及电荷运输等。

Carbon black particles, 3 mm scan size

常用探针选型：