ZY-9000F全自动变频抗干扰介质损耗测试仪用于现场抗干扰介损测量，或试验室精密介损测量。仪器为一体化结构，内置介损电桥、变频电源、试验变压器和标准电容器等。采用变频抗干扰和傅立叶变换数字滤波技术，全自动智能化测量，强干扰下测量数据非常稳定。测量结果由大屏幕液晶显示，自带微型打印机可打印输出。

ZY-9000F全自动变频抗干扰介质损耗测试仪主要技术指标

准确度： Cx: ±（读数×1%+1pF）

tgδ: ±（读数×1%+0.00040）

抗干扰指标：变频抗干扰，在200%干扰下仍能达到上述准确度

电容量范围： 内施高压： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV

外施高压： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV

分辨率： 高0.001pF，4位有效数字

tgδ范围： 不限，分辨率0.001%，电容、电感、电阻三种试品自动识别。

试验电流范围：10μA～5A

内施高压： 设定电压范围：0.5～10kV

大输出电流：200mA

升降压方式： 连续平滑调节

电压精度： ±(1.5%×读数+10V)

电压分辨率： 1V

试验频率： 45、50、55、60、65Hz单频

45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自动双变频

频率精度： ±0.01Hz

外施高压： 正接线时大试验电流1A，工频或变频40-70Hz

反接线时大试验电流10kV/1A，工频或变频40-70Hz

CVT自激法低压输出：输出电压3～50V，输出电流3～30A

测量时间： 约40s，与测量方式有关

输入电源： 180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市电或发电机供电

计算机接口： 标准RS232接口

打印机： 炜煌A7热敏微型打印机

环境温度： -10℃～50℃

相对湿度：<90%

1.2 主要功能特点

1.2.1 变频抗干扰

采用变频抗干扰技术，在200%干扰下仍能准确测量，测试数据稳定，适合在现场做抗干扰介损试验。

1.2.2高精度测量

采用数字波形分析和电桥自校准等技术，配合高精度三端标准电容器，实现高精度介损测量。

仪器所有量程输入电阻低于2Ω，消除了测量电缆附加电容的影响。

1.2.3多级安全保护，确保人身和设备安全

高压保护：试品短路、击穿或高压电流波动，能以短路方式高速切断输出。

低压保护：误接380V、电源波动或突然断电，启动保护，不会引起过电压。

接地保护：仪器接地不良使外壳带危险电压时，启动接地保护。

C  V  T：高压电压和电流、低压电压和电流四个保护限，不会损坏设备；误选菜单不会输出激磁电压。CVT测量时无10kV高压输出。

防误操作：两级电源开关；电压、电流实时监示；多次按键确认；接线端子高/低压分明；缓速升压，可迅速降压，声光报警。

防“容升”：测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应，仪器能自动跟踪输出电压，保持试验电压恒定。

抗震性能：仪器采用*抗震设计，可耐受强烈长途运输震动、颠簸而不会损坏。

高压电缆：为耐高压绝缘导线，可拖地使用。

1.2.4功能强大，产品系列化

本仪器所属型号： F型，具体功能如下：

（1）具有正/反接线，内/外标准电容，内/外高压多种工作模式，一体化结构，可做各种常规介损试验，不需外接任何辅助设备。

（2）液晶显示，菜单操作，测试数据丰富，自动分辨电容、电感、电阻型试品，自带微型打印机可打印输出。

（3）具有外接标准电容器接口，可外接油杯做精密绝缘油介损试验，可外接固体材料测量电极做精密绝缘材料介损试验，也可外接高压标准电容器做高电压介损试验。

（4）自动识别50Hz / 60Hz系统电源，并支持发电机供电，即使频率波动大，也可正常测量。

（5）内置串联和并联两种介损测量模型，方便仪器检定。

（6）可存储255组测量数据。

   （7）CVT自激法测量时，C1/C2可一次接线同时测出，自动补偿母线接地和标准电容器的分压影响，无须换线和外接任何配件。

（8）中文图文菜单，大屏幕背光LCD显示更清晰，电流电压实时监视。

（9）优化的电路设计，使正/反接线的准确度和稳定性*。

（10）自动识别外接高压试验电源频率40Hz～70Hz，支持工频电源、变频电源和串联谐振电源做大容量高电压介损试验。

（11）具有反接线低压屏蔽功能，在220kVCVT母线接地情况下，对C11可进行不拆线10kV反接线介损测量。

（12）带计算机接口。通过该接口，实现测量、数据处理和报表输出，也可实现仪器内部测量软件升级。可集成到综合高压试验车上。

（13）配置热敏打印机，使打印更加快捷、无噪音和清晰。

（14）增加回路接触不良放电提示功能，以方便判别接线是否可靠。

（15）增强反接线低压屏蔽功能，可一次接线同时测出两个电容的电容量和介损值。

（16）增加CVT变比功能，可测量CVT变比和相位误差。

1、CX试品输入           2、CN标准电容输入

3、CVT1                4、CVT2                 5、电源输入

6、电源开关             7、菜单按钮              8、打印机

9、RS232接口           10、显示器              11、高压输出端

2. 面板说明

2.1高压输出插座（0.5～10kV，大200mA）

安装位置：箱体前侧面，外设保护门。

功    能：内高压输出；检测反接线试品电流；内部标准电容器的高压端。

接线方法：插座1脚接高压线芯线（红夹子），2、3脚接高压线屏蔽（黑夹子）。正接线时，高压线芯线（红夹子）和屏蔽（黑夹子）都可以用作加压线；反接线时只能用芯线对试品高压端加压。如果试品高压端有屏蔽极（如高压端的屏蔽环）可接高压屏蔽，无屏蔽时高压屏蔽悬空。

注意事项：

（1）仪器测量电缆通用，建议用高压线连接此插座。高压插座和高压线有危险电压，禁止碰触高压插座、电缆、夹子和试品带电部位！确认断电后接线，测量时务必远离！

（2）用标准介损器（或标准电容器）检定反接线精度时，应使用全屏蔽插头连接试品，否则暴露的芯线会引起误差。

（3）应保证高压线与试品高压端0电阻连接，否则可能引起误差或数据波动，也可能引起仪器保护。

（4）强干扰下拆除接线时，应在保持电缆接地状态下断开连接，以防感应电击。

2.2试品输入Cx插座（10μA～1A）

功    能：正接线时输入试品电流。

接线方法：插座1脚接测量线芯线（红夹子），2、3脚接测量线屏蔽（黑夹子）。正接线时芯线（红夹子）接试品低压信号端，如果试品低压端有屏蔽极（如低压端的屏蔽环）可接屏蔽，试品无屏蔽时屏蔽悬空。

注意事项：

（1）测量中严禁拔下插头，防止试品电流经人体入地！

（2）用标准介损器（或标准电容器）检测仪器正接线精度时，应使用全屏蔽插头连接试品，否则暴露的芯线会引起误差。

（3）应保证引线与试品低压端0电阻连接，否则可能引起误差或数据波动，也可能引起仪器保护。

（4）强干扰下拆除接线时，应在保持电缆接地状态下断开连接，以防感应电击。

2.3标准电容输入Cn插座（10μA～1A）

功    能：输入外接标准电容器电流。

接线方法：与Cx插座类似，其区别在于：

（1）使用外部标准电容器时，应使用全屏蔽插头连接。此方式常用于外接高电压等级标准电容器，实现高电压介损测量。

（2）菜单选择“外Cn”方式。

（3）将外接标准电容器的C和tgδ置入仪器，实现Cx电容介损的值测量。

从原理上讲，任何容量和介损的电容器，将参数置入仪器都可做标准电容器。不同的是标准电容器能提供更好的长期稳定性和精度。

（4）不管正接线还是反接线测量，标准电容器接线方式始终为正接线。

仪器检定

6.1用标准损耗器检定

用带插头的屏蔽电缆连接标准损耗器。如果不能保证标准损耗器的精度，应使用比对法检定，建议用2801电桥或其它精密电桥作比对标准。

仪器应选用“内标准”和“RC串联试品”，可选择工频 50Hz或定频50Hz频率模式。

6.2用QSJ3检定

使用带插头的屏蔽电缆连接QSJ3，选择“正接/ 外Cn / 外Un式测量，电流比为Cx∶Cn，Cn可置入适当值。

6.3抗干扰能力

设置一个回路向仪器注入定量的干扰电流。

注意：

1）应考虑到该回路可能成为试品的一部分。

2）仪器启动后会使220V供电电路带有测量频率分量，如果该频率分量又通过干扰电流进入仪器，则无法检验仪器的抗干扰能力。

3）不建议用临近高压导体施加干扰，因为这样很容易产生近距离*放电，这种放电电阻是非线性的，容易产生同频干扰。

变频测量讨论

8.1变频测量

干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。例如用55Hz测量时，测量系统只允许55Hz信号通过，50Hz干扰信号被有效抑制，原因在于测量系统很容易区别不同频率，由下述简单计算可以说明选频测量的效果：

两个频率相差1倍的正弦波叠加到一起，高频的是干扰，幅度为低频的10倍：

Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)

在x=0/90/180/270°得到4个测量值

Y₀=12.4517，Y₁= -11.1017，Y₂=12.2075，Y₃= -13.5576，

计算A=Y₁ - Y₃=2.4559，B=Y₀ - Y₂=0.2442，则：

φ=tg^-1(B/A)=5.678° V=   A²+B² / 2=1.234

这刚好是低频部分的相位和幅度，干扰被抑制。实际波形的测量点多达数万，计算量很大，结果反映了波形的整体特征。

8.2频率和介损的关系

介损有RC串联和并联两种理想模型：串联模型tgδ=2πfRC，并联模型tgδ=1/(2πfRC)，tgδ分别随频率f成正比和反比。如图所示，f对*正比和*反比两种模型影响较大。但实际电容器是多种模型交织的混合模型，此时f的影响就小。

低频介损曲线(<1kHz) 高频介损曲线或低频电路谐振

8.3自动变频与50Hz等效

仪器采用自动变频在干扰频率50Hz两侧（45Hz和55Hz）各测一个点，然后推算50Hz频率下数据。除多个元件电路的低频谐振外，单个试品中的介质不可能在低频引起能量吸收峰，工频附近介损总是随频率单调变化的。因此这种测量方法不会带来明显误差。实际上，平均前的两个介损值已十分接近，即使不平均也*有参考价值。目前，变频介损仪已成为介损测量的常规仪器，其优异的抗干扰能力和准确度已经得到认可。

承修、承装、承试类资质主要试验设备配置表

常用仪器仪表