深圳市三佛科技有限公司 供应 AP2325GEN 富鼎 -20V -3A  P沟道MOS，原装，库存现货热销

 AP2325GEN参数：-20V -3A SOT-23 P沟道  MOS管/场效应管

品牌：富鼎* APEC
型号：AP2325GEN
VDS: -20V
IDS: -3A
封装：SOT-23
沟道：P沟道
种类：绝缘栅(MOSFET)
AP2325GEN原装现货，AP2325GEN优势热销

 HN3415D 可以替代  AP2325GEN

 HN3415D采用*的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于负载开关或脉宽调制应用。它是防静电的
应用：脉宽调制应用，负载开关，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD额定值：2500V hbm●高功率和电流处理能力●获得无铅产品●表面安装包

 HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道  MOS管/场效应管  带ESD静电保护
品牌：HN
型号：HN3415D
主要参数：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封装：SOT-23
ESD保护：1500V
HN3415D原装现货，HN3415D优势热销

HN3415D广泛运用于电源，充电头，控制板，计算机，家电，通讯设备等产品上

 售后：免费提供样品，和产品技术支持。
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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 ESD（静电放电）对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。所谓突发性损伤，指的是器件被严重损坏，功能丧失。这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返工维修的成本。而潜在性损伤指的是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。静电防护也成为电子产品质量控制的一项重要内容。
HN3415D带ESD静电保护。

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