埃赛力达硅雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。

 

　　埃赛力达硅雪崩光电二极管型号的应用范围：

 

　　每个模块包括一个光电探测器（埃赛力达硅雪崩光电二极管）和一个互阻抗放大器。同一封装中兼备放大器和光探测器，使其环境噪声更低，寄生电容更小。

 

　　C30659系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有4种型号使用硅晶体雪崩光电二极管和2种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50兆赫和200 兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。另有两种C30659型号的埃赛力达硅雪崩光电二极管配置热电制冷（LLAM系列），帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。

 

　　C30659型号可以根据特殊应用需要，选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件，可以达到几乎100 %耦合效率。

 

　　C30950EH是可以替代C30659的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入电容。C30919E与C30950EH使用相同设计结构，多了一个高压温度补偿电路以保持模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV模块可用于低频高增益应用，它涵盖了从紫外线到接近红外线的广谱范围。