日本京都薄膜材料KTM用于光学薄膜形成的真空蒸发材料
时间:2020-08-14 阅读:1550
我们的实验室主要生产和销售用于光学薄膜形成的真空蒸发材料。
我们提供各种材料来形成防反射膜,滤光片,透明导电膜,保护膜等。
该产品通过利用无机材料的粉末烧结技术来抑制气相沉积过程中飞溅和废气的产生。
真空蒸镀材料产品列表
■材料形状
颗粒型φ5-90mm等,颗粒型0.5-1.5mm,1-3mm,长型,其他特殊形状(拱形)
颗粒 | 颗粒 | 颗粒(脱气型) | 颗粒 (长型) | 拱 |
■气相沉积法
电子束(EB),离子束,电阻加热,激光烧蚀等。
没有。 | 产品名称(氧化物) | 没有。 | 产品名称(氧化物) |
1个 | Al2O3(氧化铝-氧化铝) | 13 | SnO2(氧化锡) |
2 | CeO2(氧化铈) | 14 | Ta2O5(五氧化二钽) |
3 | Cr2O3(氧化铬) | 15 | Ti3O5(五氧化钛) |
四个 | Fe2O3(氧化铁) | 16 | TiO(一氧化钛) |
五 | Ga2O3(氧化镓) | 17 | TiO2(二氧化钛-二氧化钛) |
6 | HfO2(氧化ha-氧化f) | 18岁 | WO3(氧化钨) |
7 | ITO(In2O3 + SnO2) | 19 | Y2O3(氧化钇-氧化钇) |
8 | MgO(氧化镁-氧化镁) | 20 | Yb2O3(氧化y) |
9 | Nb2O5(五氧化二铌) | 二十一 | ZnO(氧化锌) |
十 | NiO(氧化镍) | 二十二 | ZrO2(氧化锆-氧化锆) |
11 | SiO(一氧化硅) | 二十三 | ZRT2(ZrO2 + TiO2) |
12 | SiO2(氧化硅) |
没有。 | 产品名称(氟化物) | 没有。 | 产品名称(氟化物) |
二十四 | AlF3(氟化铝) | 31 | LiF(氟化锂) |
二十五 | BaF2(氟化钡) | 32 | MgF2(氟化镁) |
26 | BaF2 + YF3(氟化钡+氟化钇) | 33 | NaF(氟化钠) |
27 | CaF2(氟化钙) | 34 | NdF3(氟化钕) |
28 | CeF3(氟化铈) | 35 | SmF3(氟化mar) |
29 | GdF3(氟化ga) | 36 | YbF3(氟化tter) |
30 | LaF3(氟化镧) | 37 | YF3(氟化钇) |
没有。 | 产品名称(硫化物) | 没有。 | 产品名称(硫化物) |
38 | 硫化锌 |
没有。 | 产品名称(氮化物) | 没有。 | 产品名称(氮化物) |
39 | AlN(氮化铝) | 41 | TiN(氮化钛) |
40 | Si3N4(氮化硅) |
1号 | 膜 /材料特性 | |
Al2O3(氧化铝-氧化铝) | ||
膜特性 [折射率] 1.63(约550 nm) [工作波长范围] 0.2至8μm [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 4.0g / cm 3 [熔点] 2046℃[沸点] 2980℃ [物质]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):难溶 |
2号 | 膜 /材料特性 | |
CeO2(氧化铈) | ||
膜特性 [折射率] 2.2(550 nm附近) [工作波长范围] 0.4-16μm [蒸发方法] EB,电阻加热 | 物性 [理论密度] 7.3 g / cm 3 [熔点] 1950°C [沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱): 不溶于酸不溶于HCl,H 2溶于 SO 4和HNO 3 |
3号 | 膜 /材料特性 | |
Cr2O3(氧化铬) | ||
薄膜特性 [折射率] 2.24-i0.07(约700 nm) [ 工作波长范围] 1.2至10μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 5.21 g / cm 3 [熔点] 2435°C [沸点] 4000°C [材料]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):不溶 |
4号 | 膜 /材料特性 | |
Fe2O3(氧化铁) | ||
膜特性 [折射率] 3.0( 550nm 左右)[工作波长范围]0.8㎛〜 [蒸发方法] EB,电阻加热 | 物性 [理论密度] 5.24 g / cm 3 [熔点] 1,565°C [沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学药品性:可溶于盐酸和硫酸 |
5号 | 膜 /材料特性 | |
Ga2O3(氧化镓) | ||
膜特性 [折射率] 1.45(约550 nm) [波长范围]- [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料性能 [理论密度] 5.95 g / cm 3 [熔点] 1900°C [沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):不溶 |
6号 | 膜 /材料特性 | |
HfO2(氧化ha-氧化f) | ||
膜特性 [折射率] 1.95(550 nm附近) [工作波长范围] 0.23至12μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 9.68 g / cm 3 [熔点] 2810°C [沸点] 5400°C [材料]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):不溶 |
7号 | 膜 /材料特性 | |
ITO(In2O3 + SnO2) | ||
膜特性 [折射率] 2.06-i0.016(近500 nm) [ 工作波长范围] 0.4至1μm [蒸发方法] EB | 材料特性 [产品密度]- [熔点]-[沸点]-[ 材料 ] In2O3 = 可溶性(酸:无定形),不溶(水(酸:结晶)) 三角体系:850℃(挥发性) SnO2 =熔点:1630°C,沸点:180-1900°C(升华) 可溶性(KOH,NaOH),不溶(水,王水) |
8号 | 膜 /材料特性 | |
MgO(氧化镁-氧化镁) | ||
薄膜特性 [折射率] 1.74(约550 nm) [工作波长范围] 0.23至9μm [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 3.58 g / cm 3 [熔点] 2800°C [沸点] 3600°C [性能]○水溶性:-○耐化学性(酸,碱):可溶 |
9号 | 膜 /材料特性 | |
Nb2O5(五氧化二铌) | ||
膜特性 [折射率] 2.33(约500 nm) [工作波长范围] 0.32至8μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 4.47 g / cm 3 [熔点] 1520°C [沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):氢fu酸,可溶于碱 |
10号 | 膜 /材料特性 | |
NiO(氧化镍) | ||
膜特性 [折射率]- [波长范围]- [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 6.82 g / cm 3 [熔点] 1955°C [沸点]- [材料]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):溶于盐酸 |
11号 | 膜 /材料特性 | |
SiO(一氧化硅) | ||
膜特性 [折射率] 1.9( 550nm 附近)[工作波长范围] 0.55〜8㎛ [蒸发方法] EB,电阻加热 | 物性 [理论密度] 2.24 g / cm 3 [熔点] 1,700°C以下[沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学性:可溶于盐酸和硫酸 |
12号 | 膜 /材料特性 | |
SiO2(氧化硅) | ||
膜特性 [折射率] 1.46(近500 nm) [ 工作波长范围] 0.16-8μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 2.20 g / cm 3 [熔点] 1500°C [沸点] 2230°C [ 材料 ]○水溶性:不溶,不溶于酸,碱 |
13号 | 膜 /材料特性 | |
SnO2(氧化锡) | ||
膜特性 [折射率] 2.0(550 nm附近) [工作波长范围] 0.4〜1.5㎛ [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料特性 [理论密度] 6.95 g / cm 3 [熔点] 1,565°C [沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学性:可溶于盐酸和硫酸 |
14号 | 膜 /材料特性 | |
Ta2O5(五氧化二钽) | ||
膜特性 [折射率] 2.16(约550 nm) [工作波长范围] 0.35至10μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 8.73 g / cm 3 [熔点] 1468°C [沸点]- [材料]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):氢fu酸,可溶于碱 |
15号 | 膜 /材料特性 | |
Ti3O5(五氧化钛) | ||
膜特性 [折射率] 2.3至2.55(约550 nm) [工作波长范围] 0.35至12μm [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度]- [熔点]-[沸点]- [性能]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):溶于稀硫酸/稀盐酸 |
16号 | 膜 /材料特性 | |
TiO(一氧化钛) | ||
膜特性 [折射率] 2.3至2.55(约550 nm) [工作波长范围] 0.35至12μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 4.93 g / cm 3 [熔点] 1750°C [沸点] 3000°C [材料]○水溶性:-○耐化学性(酸,碱):可溶于稀硫酸/稀盐酸 |
17号 | 膜 /材料特性 | |
TiO2(二氧化钛-二氧化钛) | ||
膜特性 [折射率] 2.3至2.55(约550 nm) [工作波长范围] 0.35至12μm [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 4.26 g / cm 3 [熔点] 1850°C [沸点] 3000°C [性能]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):可溶于硫酸和碱 |
18号 | 膜 /材料特性 | |
WO3(氧化钨) | ||
膜特性 [折射率] 2.2(550 nm附近) [工作波长范围] 0.4μm〜 [蒸发方法] EB,电阻加热 | 物性 [理论密度] 7.15 g / cm 3 [熔点] 1473°C [沸点]- [性质]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):溶于碱性水溶液 |
19号 | 膜 /材料特性 | |
Y2O3(氧化钇-氧化钇) | ||
膜特性 [折射率] 1.87(约550 nm) [ 工作波长范围] 0.25至2μm [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 5.03 g / cm 3 [熔点] 2410℃[沸点] 4300℃ [性能]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):溶于酸,不溶于碱 |
20号 | 膜 /材料特性 | |
Yb2O3(氧化y) | ||
膜特性 [折射率] 1.75( 550nm 附近)[工作波长范围]0.28㎛〜 [蒸发方法] EB | 材料特性 [理论密度] 9.2 g / cm 3 [熔点] 1,127°C [沸点] 1,850°C [ 材料 ]○水溶性:不溶 |
21号 | 膜 /材料特性 | |
ZnO(氧化锌) | ||
膜特性 [折射率] 2.1(550 nm附近) [工作波长范围] 0.35至20μm [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 5.47 g / cm 3 [熔点] 1975°C [沸点]- [性能]○水溶性:微溶性○耐化学性(酸,碱):可溶 |
22号 | 膜 /材料特性 | |
ZrO2(氧化锆-氧化锆) | ||
膜特性 [折射率] 2.05(约550 nm) [ 工作波长范围] 0.3至8μm [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 5.56g / cm 3 [熔点] 2677℃[沸点] 4548℃ [性质]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):可溶于硫酸,氢fu酸 |
23号 | 膜 /材料特性 | |
ZRT2(ZrO2 + TiO2) | ||
膜特性 [折射率] 2.10(550 nm附近) [工作波长范围] 0.3到7μm [蒸发方法] EB | 材料特性 [理论密度]- [熔点]-[沸点]-[ 材料 ]- |
24号 | 膜 /材料特性 | |
AlF3(氟化铝) | ||
膜特性 [折射率] 1.38(约550 nm) [工作波长范围] 0.22至12μm [蒸发方法]电阻加热,EB | 材料特性 [理论密度] 2.88 g / cm 3 [熔点] 1040°C [沸点] 1260°C(升华) [ 材料 ]○水溶性:可溶 |
25号 | 膜 /材料特性 | |
BaF2(氟化钡) | ||
膜特性 [折射率] 1.48(约 550nm )[工作波长范围] 0.25〜15E [蒸发方法]电阻加热,EB | 材料特性 [理论密度] 4.87g / cm 3(20℃) [熔点] 1,287℃[沸点] 1,287℃[ 材料 ]○水溶性:0.16g / 100g 20℃ |
26号 | 膜 /材料特性 | |
BaF2 + YF3(氟化钡+氟化钇) | ||
薄膜特性 [折射率]- [波长范围]- [蒸发方法]电阻加热,EB | 材料特性 [理论密度]- [熔点]-[沸点]- [性质]- |
27号 | 膜 /材料特性 | |
CaF2(氟化钙) | ||
膜特性 [折射率] 1.23至1.45(550 nm附近) [工作波长范围] 0.15至12μm [蒸发方法]电阻加热 | 材料特性 [理论密度] 3.18 g / cm 3 [熔点] 1418°C [沸点] 2500°C [材料]○水溶性:水18°C 0.0016g / 100g,微溶(稀无机酸),不溶:乙酸 |
28号 | 膜 /材料特性 | |
CeF3(氟化铈) | ||
薄膜特性 [折射率] 1.63(约550 nm) [工作波长范围] 0.3至12μm [蒸发方法]电阻加热,电子束 | 材料性能 [理论密度] 5.8 g / cm 3 [熔点] 1324°C [沸点] 1360°C [材料]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):不溶于酸 |
29号 | 膜 /材料特性 | |
GdF3(氟化ga) | ||
膜特性 [折射率] 1.59(约550 nm) [工作波长范围] 0.28μm〜 [蒸发方法]电阻加热 | 材料特性 [理论密度]- [熔点] 1231℃[沸点] 2277℃ [ 材料 ]不溶(水) |
30号 | 膜 /材料特性 | |
LaF3(氟化镧) | ||
薄膜特性 [折射率] 1.59(约550 nm) [工作波长范围] 0.22至14μm [蒸发方法]电阻加热,EB | 材料性能 [理论密度] 5.9 g / cm 3 [熔点] 1490°C [沸点] 2300°C [材料]○水溶性:不溶○耐化学性(酸,碱):不溶于酸 |
31号 | 膜 /材料特性 | |
LiF(氟化锂) | ||
膜特性 [折射率] 1.3(约550 nm) [工作波长范围] 0.11至8μm [蒸发方法]电阻加热 | 物性 [理论密度] 2.64 g / cm 3 [熔点] 842°C [沸点] 1680°C [ 材料 ]○水溶性:微溶可溶性:氢fu酸 |
32号 | 膜 /材料特性 | |
MgF2(氟化镁) | ||
膜特性 [折射率] 1.38至1.4(约550 nm) [工作波长范围] 0.13至10μm [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料性能 [理论密度] 3.2 g / cm 3 [熔点] 1248°C [沸点] 2260°C [材料]○水溶性:微溶和可溶(NHO3) |
33号 | 膜 /材料特性 | |
NaF(氟化钠) | ||
膜特性 [折射率] 1.34(约550 nm) [工作波长范围] 0.13至15μm [蒸发方法]电阻加热 | 材料特性 [理论密度] 2.78 g / cm 3 [熔点] 988°C [沸点] 1704°C [ 材料 ]可溶性(水,氢fu酸) |
34号 | 膜 /材料特性 | |
NdF3(氟化钕) | ||
膜特性 [折射率] 1.61(约550 nm) [工作波长范围] 0.17至12μm [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料特性 [理论密度] 6.5 g / cm 3 [熔点] 1374°C [沸点] 2327°C [ 材料 ]- |
35号 | 膜 /材料特性 | |
SmF3(氟化mar) | ||
膜特性 [折射率]- [使用的波长范围]- [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料性能 [理论密度] 6.5 g / cm 3 [熔点] 1306°C。[沸点] 2427°C。 [自然]可溶性(硫酸盐),不溶(水) |
36号 | 膜 /材料特性 | |
YbF3(氟化tter) | ||
膜特性 [折射率] 1.5(550 nm附近) [工作波长范围] 0.22-12μm [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料特性 [理论密度] 8.2g / cm 3 [熔点] 1157℃[沸点] 2230℃ [ 材料 ]- |
37号 | 膜 /材料特性 | |
YF3(氟化钇) | ||
膜特性 [折射率] 1.5(550 nm附近) [工作波长范围] 0.2-14μm [蒸发方法] EB,电阻加热 | 材料性能 [理论密度] 5.07 g / cm 3 [熔点] 1152°C [沸点] 2230°C [ 材料 ]不溶(水),分解(浓酸) |
38号 | 膜 /材料特性 | |
硫化锌 | ||
膜特性 [折射率] 2.35(约550 nm) [工作波长范围] 0.38〜1.4㎛ [蒸发方法]电阻加热,EB | 物性 [理论密度] 4.06 g / cm 3 [熔点] 1,850℃[沸点]- [ 材料 ]○水溶性:不溶 |
39号 | 膜 /材料特性 | |
AlN(氮化铝) | ||
膜特性 [折射率] 1.9-2.2(630 nm附近) [工作波长范围]0.3㎛〜IR [蒸发方法] EB | 材料性能 [理论密度] 3.25 g / cm 3 [熔点] 3,000°C [沸点]- [ 材料 ]○水溶性:与水反应(生成氨) |
40号 | 膜 /材料特性 | |
Si3N4(氮化硅) | ||
膜特性 [折射率] 1.72(约1,500㎛) [ 工作波长范围]0.25-9㎛ [蒸发方法] EB | 材料特性 [理论密度] 3.18 g / cm 3 [熔点]-[沸点]-[ 材料 ]○水溶性:不溶 |
41号 | 膜 /材料特性 | |
TiN(氮化钛) | ||
膜特性 [折射率] 1.39-i2.84(650 nm附近) [ 工作波长范围]- [蒸发方法] EB | 物性 [理论密度] 5.44 g / cm 3 [熔点] 2,980°C。[沸点]以上 [性质]○可溶:不溶 |