飞诺飞 品牌
代理商厂商性质
深圳市所在地
我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点，适用于对能谱要求高的场合，如氡钍分析仪等，B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层，克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高，作为放射性强度测量的探测器。
| 型号 | 工作电压 | 对比ORTEC U-016-300-100 型 探测器 （Am-241 面源） 真空下测量能量分 辩率1.2% | 对比ORTEC U-016-300-100 型 探测器 （Am-241 面源） 真空下测量峰道址 202 |
| A-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
| A-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
| B-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
| B-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
