原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)，也称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy，ALE)，或原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)。
 

　　原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件的工具。
 

　　ALD的优点包括：
 

　　1. 可以通过控制反应周期数控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；
 

　　2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；
 

　　3. 可生成*的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；
 

　　4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；
 

　　5. 薄膜生长可在低温下进行(室温到400度以下)；
 

　　6. 可广泛适用于各种形状的衬底；
 

　　7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。