主要内容

发光二极管（LED）的器件优化旨在有效地将注入的电荷转换为发射光，LED中的发光层是电荷复合和发光的地方。发光层与器件效率和寿命密切相关，但由于发光层尺寸低于光学衍射极限，因此难以测量。研究团队展示了一种基于单发射光谱的方法，该方法能够以亚秒级时间分辨率对发射区进行测量。这引入了一种新的方法来研究和控制LED系统的发光层，并将其与器件性能相关联。实验测量了热激活延迟荧光有机LED发射层所有发光电流密度，同时改变器件结构和老化。由于通过发射极的电子输运是系统的电荷输运瓶颈，因此发射区受到发射体掺杂的精细控制。猜想淬灭/退化机制与发射层变化、器件结构变化和老化有关。通过这些发现，研究团队展示了在1000 cd m−²条件下具有4500小时T95超长寿命且具有20%外部量子效率的器件。其中Setfos模拟仿真软件对优化后的装置效率进行了仿真并模拟发射光谱。

产品推荐-Setfos模拟仿真软件

Setfos用于各种类型太阳能电池（包括钙钛矿、有机、叠层、硅基电池等）、钙钛矿LED、OLED器件及相关光电材料性能的仿真系统，对器件设计、构建、光学性能、电学性能以及光电材料的性能进行模拟计算和优化。（点击访问）

文献信息

A Thermally Activated Delayed Fluorescence Green OLED with 4500 h Lifetime and 20% External Quantum Efficiency by Optimizing the Emission Zone using a Single-Emission Spectrum Technique

Rossa Mac Ciarnáin,* Hin Wai Mo, Kaori Nagayoshi, Hiroshi Fujimoto, Kentaro Harada, Robert Gehlhaar, Tung Huei Ke, Paul Heremans, and Chihaya Adachi*