研究人员开发了一种基于Ir（III）的新型异质近红外材料，用于近红外有机发光二极管（NIR OLEDs）。这些材料具有高度定向的水平偶极比和短辐射寿命。在NIR OLEDs中，这些器件提供极低的导通电压和高辐射容量，使其适用于各种应用。这项研究表明，在类似的基于Ir（III）的近红外OLEDs中，它具有优异的器件性能，这使其成为一种有前途的商业应用材料。

Phelos用于测量OLED、钙钛矿LED及其他发光器件的发射光谱特性和极化角，同时也可测量器件的s和p偏振光谱、发射光谱与角度的关系，计算出发射层中激子的发光角度及位置分布。

Heteroleptic Ir(III)-based near-infrared organic light-emitting diodes with high radiance capacity

Yongjin Park, Gyeong Seok Lee, Woochan Lee, Seunghyup Yoo, Yun-Hi Kim & Kyung-Cheol Choi