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顶部发射可以提高发光显示器的亮度、色彩纯度和面板制造兼容性。然而，顶发射量子点发光二极管(QLEDs)存在稳定性差、光输出耦合低和不可忽略的角度依赖性等问题，因为对于非红发射的QLEDs来说，器件结构与单模光学微腔不兼容。

在这篇文章中，苏州大学材料与化学化工学部研究团队证明通过改进确定反射穿透深度的方法和创建降低折射率的过程，可以克服绿色QLED面临的问题。这带来了先进的器件性能，实现超过160万尼特的亮度及204.2 cd A-1的电流效率，T95在1000尼特下的工作寿命为15,600小时。同时，研究团队的设计不影响光耦合，因为在没有光提取方法的情况下提供了29.2%的外部量子效率。最后，通过缩小量子点的发射线宽，实现了Δu'v'=0.0052从0°到60°的角色偏移。

Ultrabright and stable top-emitting quantum-dot light-emitting diodes with negligible angular color shift

Mengqi Li, Rui Li, Longjia Wu, Xiongfeng Lin, Xueqing Xia, Zitong Ao, Xiaojuan Sun, Xingtong Chen & Song Chen*