紫外光刻机广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米技术。并且，该系列光刻机已被多家企业、研发中心、科研院所、大专院校采用作为其光刻系统的基础；其过硬的技术、良好的服务赢得了广大用户的青睐。作为光刻系统，其重要技术在于以下两个方面：掩模晶圆对准和将掩模上的图案复制到晶圆上，为下一步或离子注入工艺做准备。

　　紫外光刻机的曝光方式采用压力可调的接触曝光，有效减少光刻胶对掩模版的污染和掩模版的磨损，从而提高掩模版的使用寿命。该机采用i-line紫外曝光光源，光学系统采用特殊的抗衍射和线陡增强技术，采用积木错位绳眼透镜实现高光均匀照明，配备双目双目显微镜和CCD图像对准系统（可以同时使用）。具有高曝光能量、小聚焦角、厚胶曝光功能。曝光设置微电脑控制，菜单界面友好，操作简单。

 

　　该设备采用CCD图像底部对准技术和单曝光头正面曝光的整体设计技术，实现双面对准。采用新颖的高精度、多自由度掩模样品精密对准工作台结构设计，掩模样品对准过程直观，雕刻对准速度快，精度高。掩模板和样品的放置采用推拉式参考板和真空吸附，操作方便。该装置可用于用紫外光照射正胶或负胶，通过显影可对样品进行精细图案化。

　　紫外光刻机适用于所有标准化光刻应用，带有顶部和底部对齐系统。底部对位系统允许对基板的上下表面进行图形加工，适用于三五组易碎化合物、不规则基板、透明基板和碎片的微加工。具有键合对准升级功能和衍射减少光学系统。曝光方式可以是近距离接触、软接触、硬接触和真空接触。