紫外光刻机的主要性能指标包括：支撑基板的尺寸范围、分辨率、对位精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。

　　

　　1、分辨率是描述光刻可以达到的最细线精度的一种方式。光刻机的分辨率受到光源衍射的限制，因此受到光源、光刻系统、光刻胶和工艺的限制。

　　

　　2、对准精度是多层曝光时层间图案的定位精度。

　　

　　3、曝光方式分为接触接近、投影和直写。

　　

　　4、曝光光源的波长分为紫外区、深紫外区和极紫外区。光源包括汞灯、准分子激光器等。

　　

　　紫外光刻机广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米技术。重要的技术在于以下两个方面：掩模晶圆对准，以及将掩模上的图案复制到晶圆上，为下一步或离子注入工艺做准备。曝光方式采用压力可调的接触曝光，有效降低了光刻胶对掩模版的污染和掩模版的磨损，提高了掩模版的使用寿命。因此，曝光机/光刻系统以其高性价比令人印象深刻。

　　

　　紫外光刻机高分辨率光刻，光烧蚀/光解/光催化工艺，表面能改性，臭氧产生，低损伤原子表面清洁，增强薄膜附着力，高功率平面真空紫外光为光处理提供了新的可能性。大功率弧光灯的革命性使用具有出色的均匀性和通用性，高效紧凑的模块化设计，这些都是在172nm光源上实现的。此外，还创造性地推出了真空紫外线处理系统。