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1550nm VCSEL垂直腔面发射半导体激光器 1.0mW)
面议795nm带制冷VCSEL激光二极管
面议窄线宽微型全波段可调谐DFB激光模块
¥19999905nm高峰值功率脉冲激光二极管
¥19999Innolume 14引脚封装光纤耦合FBG激光二极管
¥19999Innolume用于脉冲或CW操作的光纤耦合激光二极管
¥19999Innolume基座高功率宽区域二极管光学仪器组件
面议Innolume高功率宽区域激光器
面议Innolume光纤耦合分布式反馈激光二极管模块 (968-1330nm)
面议Innolume 单模FP激光二极管 780-1340nm (TO-can封装或连续脉冲FBG稳定型
面议DFB分布反馈式半导体激光器1028/1036/1060/1064/1068/1084nm 30mW
面议1064nm DFB蝶形封装激光器 FC / APC(CW功率30mW 脉冲峰值功率100mW)
面议中红外QCL激光器产品特点
高功率
结构紧凑,
软件智能控制
内置FPGA
中红外QCL激光器技术参数
技术参数 | 单位 | 技术指标 | |||||||
最小值 | 典型值 | 最大值 | |||||||
产品型号 |
| QCL4000FP | |||||||
输出功率1 | mW | 150 | - | 300 | |||||
峰值工作波长2 | um | 8.6 | 8.65 | 8.7 | |||||
光谱宽度(FWHM) | nm | - | 3 | - | |||||
输出边模抑制比(SMSR) | dB | 30 | - | - | |||||
M2因子 |
|
| <1.2 |
| |||||
输出光发散角 | Mrad |
| <2 |
| |||||
输出隔离度3 | dB | - | 30 | - | |||||
波长温度系数 | nm/℃ |
| 0.6 |
| |||||
波长电流系数 | nm/mA |
| 0.2 |
| |||||
输出功率稳定度(15分钟)4 | % | - | ±0.5 | ±1.0 | |||||
输出功率稳定度(8小时)4 | % | - | ±1.0 | ±2.0 | |||||
输出功率可调范围 | % | 0 | - | 100 | |||||
输出功率调节模式 |
| 软件控制 | |||||||
TEC稳定度 | ℃ | - | ±0.1 | ±0.2 | |||||
TEC工作范围 | ℃ | 0 | 30 | 50 | |||||
工作电压 | VAC | 100 | 220 | 240 | |||||
电功率功耗5 | W | - | - | 2 | |||||
工作温度 | ℃ | 0 | - | 90 | |||||
存储温度 | ℃ | -40 | - | 85 | |||||
规格尺寸 | mm | 340(L)×240(W)×100(H) 台式 |
技术指标说明:
1.输出功率可选;
2.峰值工作波长;
3.输出功率稳定性测试条件为25度,开机预热30分钟后;
4.最大功耗是指极限工作条件下的整体功耗。
QCL激光器特征曲线(8.6um典型波长为例)
输出功率特征曲线:
激光光谱(连续)
光斑分析
订货信息
MIR-QCL- W□□□□ -☆-△-XX
W□ □□□:Wavelength
4000:5260nm
8600:8600nm
9000:10530nm
☆ :准直输出
1:带
0:不带
△:激光器类型
FP:QCL-FP
DFB:QCL-DFB
XX: 输出功率
001=1mw
010=10mw
400=400mw
1000=10000mw
MIR-QCL-W8600-1-FP-0150
产品应用
中红外测试光源
中红外器件分析