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Alphalas UPD超快光电探测器(800-2100nm,上升沿时间<150ps,InGaAs;
面议Alphalas UPD超快光电探测器(800-1700nm,上升沿时间<15ps, InGaAs;
面议Alphalas UPD超快光电探测器(800-1700nm <35ps上升沿时间 >10GH
面议Alphalas UPD超快光电探测器(350-1700nm <35ps上升沿时间 InGaAs,抛
面议Alphalas UPD超快光电探测器(350-1700nm <35ps上升沿时间 InGaAs,D
面议350-1100nm硅基放大光电探测器,感光尺寸3.6×3.6mm,带宽范围DC~6.7M
面议800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器,响应时间常数35ns
面议800-1800nm锗带偏压光电探测器,感光尺寸Φ5.0mm
面议800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器,输入耦合方式为FC/PC光纤座
面议800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器,输入耦合方式为窗片
面议800-1700nm铟镓砷放大光电探测器,感光尺寸Φ10.0mm
面议800-1700nm铟镓砷放大光电探测器,感光尺寸Φ1.0mm
面议非冷却 光学浸没 光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um PEMI系列
PEMI系列是一款基于光电磁效应的MCT红外光伏探测器,并且采用光学浸没的方式提高探测器的性能。光入射会使探测器内部半导体产生的电子空穴对在磁场的作用下移动。该器件在10.6 μm处探测性能佳,是一款特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大感光面探测器。这款探测器被安装在内部含有磁性电路的特殊包装中。3°楔形硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗户,可以防止不必要的干扰影响和污染。
产品特点
光谱范围从 2.0 到 12.0 µm
环境温度操作
无需偏见(No bias required)
没有 1 / f 噪音(No 1/f noise)
从直流到高频的操作
对红外辐射极化敏感
产品应用
● 医学热成像
● 红外光谱分析
● 中红外气体吸收检测
● 中红外激光探测
参数 | 探测器型号 | |
PEMI-10.6 | ||
有源元件材料 | 外延MCT异质结构 | |
最佳波长λopt(μm) | 10.6 | |
相对响应强度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥1.6×108 | |
相对响应强度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | ≥1×108 | |
电流响应度-光敏面长度乘积Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.01 | |
时间常数T,ns | ≤1.2 | |
电阻R,Ω | 40-100 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1,2×2 | |
封装 | PEM-SMA | PEM-TO8 |
接收角∅ | ~36° | |
窗口 | wZnSeAR |
SMA型尺寸
参量 | 数值 | |
浸没微型透镜形状 | 超半球形 | |
光学区域面积AO;mm×mm | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 9.3±0.40 | 10.65±0.40 |
备注:
ϕ—接收角度;
R—超半球微型透镜半径
A—从PEM-SMA盖子顶部到焦平面的距离
TO8封装尺寸图
参量 | 数值 | |
浸没微型透镜形状 | 超半球形 | |
光学区域面积AO;mm×mm | 1×1 | 2×2 |
R,mm | 0.8 | 1.25 |
A,mm | 4.75±0.30 | 3.4±0.40 |
备注:
ϕ—接收角度;
R—超半球微型透镜半径
A—从PEM-TO8头部下表面到焦平面的距离
TO8引脚定义
功能 | 引脚号 |
探测器 | 1,3 |
接地 | 11 |
未使用 | 2, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12 |
使用和储存注意事项
›在 10% 至 80% 的湿度和 -20°C 至 30°C 的环境温度下运行。
›光束功率限制:›CW 或单脉冲的辐照度必须大于 1 μs 对表观光学有效区域的辐照度不超过 100 W/cm²,
›短于 1 μs 的脉冲辐照度不得超过 1 MW/cm²。
›存放在 10% 至 90% 湿度和 -20°C 至 50°C 环境温度的暗处。
›饱和吸收功率 ~200 mW.
非冷却 光学浸没 光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um PEMI系列