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Alphalas UPD超快光电探测器（800-2100nm，上升沿时间＜150ps，InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm，上升沿时间＜15ps， InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm ＜35ps上升沿时间 >10GH
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,抛
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,D
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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
面议Si 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。
产品特点：
正照平面型芯片结构
高速响应
高增益
低结电容
低噪声
产品应用：
激光测距
激光雷达
激光警告
技术参数：
光电性能（@Ta=22±3℃）
器件型号 | 光谱响应范 围 (nm) | 峰值响 应波长 (nm) | 响应度 λ =905nm φ e =1μW M=100 (A/W) | 暗电流 M=100 (nA) | 响应时间 λ =905nm R L =50Ω （ns） | 工作电压 温度系数 T a =-40℃ ～85℃ （V/℃） | 总电容 M=100 f=1MHz （pF） | 击穿电压 I R =10μA （V） | ||
典型 | 最大 | 最小 | 最大 | |||||||
APD-SI-905-2-TO46 | 400～1100 | 905 | 55 | 0.2 | 1 | 0.6 | 0.9 | 1.0 | 130 | 220 |
APD-SI-905-5-TO46 | 0.4 | 1 | 1.2 | |||||||
APD-SI-905-8-TO46 | 0.8 | 2 | 2.0 | |||||||
APD-SI-905-2-LCC3 | 0.2 | 1 | 1.0 | |||||||
APD-SI-905-5-LCC3 | 0.4 | 1 | 1.2 | |||||||
结构/最大绝对额定值
器件型号 | 封装形式 | 光敏面直径 (mm) | 工作电压 (V) | 工作温度 (℃) | 储存温度 (℃) | 焊接温度 (℃) | 正向电流 (mA) | 耗散功率 (mW) |
APD-SI-905-2-TO46 | TO-46 | 0.23 | 0.9×V BR | -40～85 | -45～100 | 260 | 0.25 | 100 |
APD-SI-905-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | ||||||
APD-SI-905-8-TO46 | TO-46 | 0.80 | ||||||
APD-SI-905-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | ||||||
APD-SI-905-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 |
产品型号
名称 | 型号 | 描述 | 价格 | 货期 |
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-2-TO46 | 光谱响应范围：400-1100nm 峰值响应波长：905nm 光敏面直径：0.23mm 封装：TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-5-TO46 | 光谱响应范围：400-1100nm 峰值响应波长：905nm 光敏面直径：0.50mm 封装：TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-8-TO46 | 光谱响应范围：400-1100nm 峰值响应波长：905nm 光敏面直径：0.80mm 封装：TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-2-LCC3 | 光谱响应范围：400-1100nm 峰值响应波长：905nm 光敏面直径：0.23mm 封装：LCC3 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-5-LCC3 | 光谱响应范围：400-1100nm 峰值响应波长：905nm 光敏面直径：0.50mm 封装：LCC3 |
典型特性曲线
封装外形、尺寸及引脚定义
APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）
APD-SI-2-2/5-LCC3
等效电路及应用电路
注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。
C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。
R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。
R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。
定购信息：
型号规则
【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】
