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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
面议
800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
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900-2600nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，固定增益1×104V/A
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ0.5mm，固定增益10kV/A
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500-1700nm铟镓砷偏压光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，上升时间5ns
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400-1700nm可见光延伸铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸2mm×2mm
面议
400-1100nm高速型硅基偏压光电探测器，上升时间1ns
面议InAs/InAsSb T2SL 光伏探测器 非制冷
PVAS-5-0.1 0.1-TO39-NW-90是II型超晶格非冷却红外光电探测器，具有优良的参数。该探测器不含汞和镉，符合RoHS指标。
产品特点
● 光谱范围为1.6 ~ 6.2 μm
● 高响应度
● 好的线性度
● 不需要偏置
● 无1/f噪声
产品应用
● 中红外激光探测
● 中红外气体分析
技术参数
测试条件：Ta=20℃，Vb=0mV
参数 | 探测器型号 |
PVAS-5-0.1X0.1-TO39-NW-90 | |
有源元件材料 | 外延超晶格异质结构 |
起始波长λcut-on (10%), μm | 1.6±0.2 |
峰值波长λpeak, μm | 4.2±0.3 |
截止波长λcut-off (10%), μm | 6.2±0.2 |
探测效率D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ~1.2×109 |
电流响应度Ri(λpeak),A/W | ~1.2 |
时间常数T，ns | ~11 |
电阻R,Ω | ~170 |
工作温度Tdet,K | ～230 |
感光面尺寸A,mm×mm | 0.1×0.1 |
包装 | TO39 |
接收角Φ | ～90° |
窗口 | none |
20℃探测器的光谱响应曲线
输入功率与输出电流线性度曲线（TBB—黑体温度）
封装及尺寸
TO39型封装及尺寸
TO39-引脚定义
引脚定义 | |
功能 | 引脚号 |
探测器 | 1（-）,2（+） |
接地 | 3 |
备注：使用和储存注意事项
1、工作环境湿度为10% ~ 80%，环境温度为-20℃~ 30℃。
2、功率限制：连续波或单脉冲辐照度大于1 μs时，对视光学有源区域的辐照度不得超过100 W/cm2；小于1 μs的脉冲辐照度不能超过1 MW/cm2。
3、储存于湿度为10%至90%，环境温度为-20℃至50℃的黑暗处。
InAs/InAsSb T2SL 光伏探测器 非制冷
