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350-1100nm硅基放大光电探测器，感光尺寸3.6×3.6mm，带宽范围DC～6.7M
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
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900-2600nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，固定增益1×104V/A
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ0.5mm，固定增益10kV/A
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500-1700nm铟镓砷偏压光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，上升时间5ns
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400-1700nm可见光延伸铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸2mm×2mm
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400-1100nm高速型硅基偏压光电探测器，上升时间1ns
面议II型超晶格三级热电冷却红外光导探测器
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70是一种具有优良参数的II型超晶格三级热电冷却红外光导体。光导探测器应在最佳偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，在低频率下的性能会降低。3 °楔形硒化锌增透涂层窗(wZnSeAR)防止不必要的干扰效应。对于连续波辐射的检测，推荐使用光斩波系统。该探测器不含汞和镉，符合RoHS标准。
产品特点
● 光谱范围：1.6 ~ 10.5 μm
● 高响应度
● 好的线性关系
产品应用
● 中红外激光探测
● 中红外气体分析
参数 | 探测器类型 |
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | |
有源元件材料 | 外延超晶格异质结构 |
起始波长λcut-on（10%），μm | 1.6±0.2 |
峰值波长，λpeak，μm | 6.1±0.3 |
截止波长λcut-off（10%），μm | 10.5±0.3 |
响应度D*(λpeak, 20 kHz), cm·Hz1/2/W | ~4.3×108 |
电流响应度Ri(λpeak), A/W | ~4.4 |
时间常数T,ns | ~17 |
电阻R,Ω | ~180 |
偏置电压Vb, V | typ. 0.5 |
1/f噪声角频率fc, Hz | typ. 20k |
工作温度Tdet,K | ~210 |
光敏面A,mm×mm | 0.1×0.1 |
封装 | TO8 |
接收角度Φ | ~70° |
窗口 | wZnSeAR |
探测器光谱响应特性曲线
热敏电阻特性曲线
三级TE冷却参数表
参量 | 数值 |
Tdet , K | ~210 |
Vmax , V | 3.6 |
Imax , A | 0.45 |
Qmax , W | 0.27 |
窗口镜抗反射涂层透过率曲线
输入功率与输出电流线性度曲线（TBB—黑体温度）
TO8封装外形及尺寸
3TE-TO8引脚定义
功能 | PIN号 |
探测器 | 1,3 |
热敏电阻 | 7,9 |
TE冷却器供应 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
备注：使用和储存注意事项
1.散热3TE冷却器产生的热量，需要有~2 K/W的热阻散热器。
2.工作环境湿度为10% ~ 80%，环境温度为-20℃~ 30℃。
3.功率限制：连续波或单脉冲辐照度大于1 μs时，对视光学有源区域的辐照度不得超过100 W/cm2；小于1 μs的脉冲辐照度不能超过1 MW/cm2。
4.储存于湿度为10%至90%，环境温度为-20℃至50℃的黑暗处。
II型超晶格三级热电冷却红外光导探测器
