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Alphalas UPD超快光电探测器（800-2100nm，上升沿时间＜150ps，InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm，上升沿时间＜15ps， InGaAs；
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Alphalas UPD超快光电探测器（800-1700nm ＜35ps上升沿时间 >10GH
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,抛
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Alphalas UPD超快光电探测器（350-1700nm ＜35ps上升沿时间 InGaAs,D
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800-2200nm红外延伸铟镓砷放大光电探测器，响应时间常数35ns
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800-1800nm锗带偏压光电探测器，感光尺寸Φ5.0mm
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为FC/PC光纤座
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800-1700nm高速型铟镓砷偏压光电探测器，输入耦合方式为窗片
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ10.0mm
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800-1700nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm
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900-2600nm铟镓砷放大光电探测器，感光尺寸Φ1.0mm，固定增益1×104V/A
面议高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪 声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。 具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等 特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。硅 Si 光电平衡探测器 400~1100nm 350MHz
产品特点
噪声低
高增益
高带宽
结构紧凑
内置低噪隔离电源
应用领域
分布式光纤传感
激光测风雷达
光学相干层析
光谱测量
ns 级光脉冲探测
技术参数
产品型号 | BPD-Si-100M-B | BPD-Si-200M-B | BPD-Si-350M-B | BPD-Si-500M-B | BPD-Si-1G-B | 单位 |
探测器型号 | Si | |||||
波长 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | nm |
带宽 | 100M | 200M | 350M | 500M | 1G | Hz |
探测器响应度 | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | 0.55@850nm | A/W |
跨阻增益 | 30K | 30K | 30K | 30K | 30K | V/A |
饱和输入光功率 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | μW |
NEP | 12 | 12 | 12 | 13 | 13 | pW/Sqrt(Hz) |
共模抑制比 | >25 | >25 | >25 | >25 | >25 | dB |
输出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
输出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | AC | AC | |
供电电压 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供电电流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光学输入 | FC/APC（自由空间可选） | FC/APC（自由空间可选） | FC/APC（自由空间可选） | FC/APC（自由空间可选） | FC/APC（自由空间可选） | |
射频输出 | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | |
外形尺寸 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | 62*47*25 | mm |
