1一般原理：首先将X射线通过荧光介质材料转换为可见光，然后通过光敏元件将可见光信号转换为电信号，最后通过A/D将模拟电信号转换为数字信号。具体原理：曝光之前，阳离子被存储在硅表面上以产生均匀的电荷，从而在硅表面上产生电子场；

　　2.曝光期间，在硅中产生电子-空穴对，并向表面释放自由电子，从而在硅表面产生了潜在的电荷像，并且每个点的电荷密度等于局部X射线强度。

　　3.曝光后，X射线图像存储在每个像素中；

　　4.半导体转换器读取每个元素并完成模数转换。

　　优点：

　　1.转换效率高；

　　2.动态范围广；

　　3.高空间分辨率；

　　4.在低分辨率区域具有较高的X射线吸收率（因为其原子序数高于非晶硒的原子序数）；

　　5.环境适应能力强。

　　缺点：

　　1.高剂量DQE不如无定形硒。

　　2.由于荧光转换层而引起的轻微散射效应；

　　3.清晰度相对于非晶态硒略低。

　　（2）非晶硒型

　　一般原理：光电导半导体将接收到的X射线光子直接转换为电荷，然后通过薄膜晶体管阵列将电信号读出并数字化。

　　具体原理：

　　1.X射线入射光子激发非晶硒层中的电子-空穴对；

　　2.电子和空穴在外部电场的作用下以相反的方向移动以产生电流。电流的大小与入射的X射线有关。光子数成正比；

　　3.这些电流信号被存储在TFT的电极间电容上，并且每个TFT和电容形成像素单元。

　　优点：

　　1.转换效率高；

　　2.动态范围广；

　　3.高空间分辨率；

　　4.清晰度好；

　　缺点：

　　1.X射线吸收率低，在低剂量条件下不能保证图像质量。增加X射线剂量不仅会增加疾病来源射线吸收了，对了X射线系统要求太高。

　　2.硒层对温度敏感，使用条件有限，环境适应性差。

　　（三）CCD型

　　一般原理：增强屏幕用作X射线交互介质，并添加CCD以数字化X射线图像。

　　具体原理：以MOS电容器类型为例：在P型Si的表面形成一层SiO2，然后在其上蒸镀一层多晶硅作为电极，并在P-上施加电压。电极的Si型衬底，以在电极A的低势能区或势阱下形成它。势阱的深度与电压有关。电压越高，势阱越深。光生电子存储在势阱中。光生电子的数量与光的强度成正比。因此，存储的电荷量也反映了该点的亮度。存储在数百万个感光单元中的电荷形成与该图像相对应的电荷图像。

　　优点：

　　1.高空间分辨率；

　　2.几何变形小；

　　3.均匀性好。