什么是等离子CVD设备？

等离子体CVD装置是进行化学气相沉积法的一种的装置。

等离子体CVD是Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition的缩写，它将原料气体转变成低温等离子体状态（正离子和电子电离的辉光放电），产生活性离子和自由基，引起化学反应并沉积材料以形成薄膜。

等离子CVD设备的应用

等离子CVD技术用于制造切削工具用强化膜（氮化钛、氮化碳、DLC（英文：Diamond Like Carbon））、半导体用绝缘膜、保护膜、布线及电极材料（氮化硅、氧化硅、铜、铝、钨、多晶硅、化合物半导体等）。它在控制和供应能源的高性能功率器件中的应用正在迅速扩大，这是经济和工业发展的关键。

供给等离子体CVD装置的气体通常为与SiH 6)、WF硅烷(4氢气、氮气、氩气、氨等载气。

1. 氧化物

二氧化硅(SiO 2 )是硅的氧化物。它具有优异的电绝缘性和热稳定性，用于半导体器件的层间介电膜。

随着半导体变得越来越薄，漏电流（即电流从非预期位置泄漏）变得更有可能发生。 SiO 2的存在有助于防止漏电流。

2. 氮化物

氮化硅(Si 3 N 4 )是硅的氮化物。它具有优异的强度和导热性，用作产生大量热量的功率器件的基板材料。

氮气和氨气与SiH 4一起形成氮化物，因此也可作为原料气体。一般半导体执行与计算和存储相关的功能，例如存储器。另一方面，功率器件（例如二极管）的用途是。

3、硬质合金

碳化硅 (SiC) 是一种碳化硅，与 GaN（氮化镓）和 AlGaN一样属于化合物半导体家族。与Si 3 N 4一样，它具有优异的强度和导热性，因此代替Si IGBT用于功率器件。

与硅化合物相比，功率损耗更低，从而使设备更小。

4. 金属/金属化合物

晶体管的栅极由栅极氧化物（通过热氧化形成）和栅电极（通常是多晶硅）形成。用于栅电极和源极/漏极接触的钨塞通过等离子体CVD形成。 （见图3）

等离子CVD设备原理

图1. 等离子体CVD设备的基本配置

根据目的，原料气体条件可以在10 -4 ～100Pa的大范围的减压范围内进行选择。等离子体激发常用的电源频率是13.56 MHz（RF：射频），放电形式采用平行板电极电容耦合，如图1所示。

平行板的一侧可以用作喷头来供应工艺气体，或者可以在一侧安装加热器来调节温度。可以控制的参数有很多，例如电源频率、平行板型以外的电极结构、原料气体成分、放电量、温度等。因此，可以形成具有各种功能的各种薄膜，从无机物到有机物。

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