二极管特性实验、三极管特性实验、场效应管特性实验
时间:2024-01-03 阅读:195
半导体器件实验箱是一种用于模拟电子技术课程实验的装置,可完成多种半导体器件实验,适用于开设电子技术课程的学校。附有实验指导书及基本实验所需的元器件。
实验内容:
1.二极管特性实验
(1)整流二极管
(2)稳压二极管
(3)发光二极管
2.三极管特性实验
(1)PNP
(2)NPN
3.场效应管特性实验
(1)结型场效应管
(2)绝缘栅场效应管
4.晶闸管(可控硅)特性实验
(1)单向晶闸管
(2)双向晶闸管
技术指标:
电源输入:AC 220V±10%
电源输出:ACV 10V MAX200mA
DCV双路0-18V连续可调 MAX200mA
DCV 10V-80V ≤1mA
测量仪表
电压测量:三档接插转换指针式电压表,0-1V、0-10V、0-100V
电流测量:三档接插转换指针式电流表,0-0.1mA、0-1mA、0-10mA测量仪表均配有正负极性转换开关,及保险(100mA)
实验区
二极管实验区:整流二极管(1N4001)、开关二极管(1N4148)、稳压二 极管(10V/1W)、LED(红、绿)
三极管实验区:NPN三极管(9013)、PNP三极管(9012)、开关三极管(9018)
晶闸管实验区:单向晶闸管(MCR100—6)、双向晶闸管(MAC97A6)
场效应管实验区:N沟道结型场效应管(3DJ6F)、N沟道绝缘栅型场效应管(S107)
其他
电位器:1K×1、10K×1、100K×1
开 关:乒乓开关×1、推拉开关×1、自锁开关×1、脉冲开关×1;