E2V芯片DDR4

E2V芯片DDR4

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2024-06-24 15:08:58
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价格区间:面议;仪器种类:微流控芯片系统;应用领域:电子,电气;
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仪器种类
微流控芯片系统
应用领域
电子,电气
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天津瑞利光电科技有限公司

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产品简介

DDR4理想的伴侣芯片,适用于处理器、FPGA、SiP解决方案等太空级设备…4/8GB耐辐射DDR4内存多芯片封装(MCP)是一种高密度内存解决方案,针对空间嵌入式系统和应用。

详细介绍

产品名称:E2V芯片DDR4

产品型号:DDR4

产品介绍

DDR4理想的伴侣芯片,适用于处理器、FPGA、SiP解决方案等太空级设备…4/8GB耐辐射DDR4内存多芯片封装(MCP)是一种高密度内存解决方案,针对空间嵌入式系统和应用。

这种空间级DDR4内存能够提高性能,同时占用小的板载空间——这在高度空间限制、密集的卫星设计中肯定是有价值的。它可以与具有DDR4控制器的处理器和FPGA结合使用,也可以嵌入Teledyne e2v Space版本的Qormino通用计算平台以及Space版本的LS1046四核处理器(QLS1046-4GB)。与DDR4内存一起,提供了一个完整的辐射和应用数据包,使设计师能够快速开发他们的板,风险小。

性能特点

非常小的占地面积:与使用分立组件相比,节省了板空间。

每立方英寸存储容量非常高。

每立方英尺存储带宽非常高。

坚固耐用:焊接PBGA。

信号完整性。

0.8毫米间距:无引线和有引线球选项。

适用于需要Mil Temp范围、小形状因数、非密封操作的高可靠性和空间应用

选型指南

技术参数

产地:英国

密度:4GB/8GB

总线宽度:72位(64位数据+8位ECC)

速度:高达2400 MT/s

模块尺寸:15 mm x 20 mm x 1.92 mm

焊球数量:391

间距:0.8 mm

SEL-LET阈值:>60.88 MeV.cm²/mg

TID公差:100 krad(Si)

质子:可获得高达190MeV的数据

可编程CAS延迟:13,15,16,17,19

复位:异步

兼容封装:SnPb和RoHS

重量:1.2 g+/-0.1 g

 


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